[发明专利]一种横向MIMI格点阵等离激元共振吸收器有效
申请号: | 202010416220.8 | 申请日: | 2020-05-17 |
公开(公告)号: | CN111580197B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 肖功利;杨文琛;薛淑文;杨宏艳;杨寓婷;张开富;李海鸥 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | G02B5/00 | 分类号: | G02B5/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 541004 广西*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 横向 mimi 点阵 离激元 共振吸收 | ||
1.一种横向MIMI格点阵等离激元吸收器,由折射率n1=1.52的介质基底和以MIMI结构基本单元进行周期性排列形成的横向MIMI格点阵列构成,MIMI结构基本单元是由两列银和两列二氧化硅长方体块交替堆积形成,均垂直竖立在介质基底的上表面,在水平方向上沿着相互垂直的X轴和Y轴以一定的周期进行排列形成横向MIMI格点阵列,整个结构放置在一个均匀的介质环境中,入射光为平面波,光源在整个结构的正上方且入射方向即波矢k与介质基底上表面垂直,透射光从MIMI格点阵列的下方射出,反射光从MIMI格点阵列的上方射出,通过两种不同的共振形式在吸收光谱上产生两个窄的共振吸收峰;银长方体块和二氧化硅长方体块的高度相等,银长方体块和二氧化硅长方体块的长度相等;每个MIMI结构基本单元中银长方体块和二氧化硅长方体块的高度h介于100nm~300nm之间,长度a介于100nm~300nm之间;内侧银长方体块的宽度w2介于10nm~100nm之间,外侧银长方体块的宽度w1介于10nm~100nm之间,内侧二氧化硅长方体块的宽度d1介于10nm~100nm之间,外侧二氧化硅长方体块的宽度d2介于10nm~100nm之间;垂直竖立在介质基底上表面的MIMI结构基本单元沿着银长方体块和二氧化硅长方体块宽方向上的排列周期D介于300nm~700nm之间,沿着银长方体块和二氧化硅长方体块长方向上的排列周期T介于300nm~700nm之间。
2.根据权利要求1所述的一种横向MIMI格点阵等离激元吸收器,其特征在于:光源在整个结构的正上方且入射方向即波矢k与介质基底上表面垂直,入射的光波为TEM电磁波并正入射到整个结构的上方,磁场方向平行于银长方体块和二氧化硅长方体块的宽,电场方向平行于银长方体块和二氧化硅长方体块的长。
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