[发明专利]选通器件及其制备方法

权利要求书

1.一种选通器件，其特征在于，所述选通器件包括从下到上依次生长在衬底上的下电极、第一绝缘层、第二绝缘层以及上电极；

其中，所述下电极为惰性电极，所述上电极为活性电极，所述第一绝缘层的金属离子迁移率小于所述第二绝缘层的金属离子迁移率；

其中，所述第一绝缘层为基于第一绝缘材料生长得到的绝缘层，所述第二绝缘层为基于第二绝缘材料生长得到的绝缘层，其中，所述第一绝缘材料的缺陷和晶界，多于，所述第二绝缘材料的缺陷和晶界。

2.根据权利要求1所述的选通器件，其特征在于，所述第一绝缘层为采用第一生长方法，基于第一绝缘材料生长得到的绝缘层，所述第二绝缘层为采用第二生长方法，基于第二绝缘材料生长得到的绝缘层；其中，所述第一生长方法和所述第二生长方法为不同的生长方法。

3.根据权利要求2所述的选通器件，其特征在于，所述第一生长方法为原子沉积方法，所述第二生长方法为磁控溅射方法。

4.一种选通器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上采用惰性材料生长下电极；

在所述下电极的表面上生长第一绝缘层；

在所述第一绝缘层的表面生长第二绝缘层，其中，所述第一绝缘层的金属离子迁移率小于所述第二绝缘层的金属离子迁移率；

在所述第二绝缘层的表面采用活性材料生长上电极，得到选通器件；

其中，所述在所述下电极的表面上生长第一绝缘层，包括：

在所述下电极的表面，基于第一绝缘材料生长所述第一绝缘层；

所述在所述第一绝缘层的表面生长第二绝缘层，包括：

在所述第一绝缘层的表面，基于第二绝缘材料生长所述第二绝缘层；其中，所述第一绝缘材料的缺陷和晶界，多于，所述第二绝缘材料的缺陷和晶界。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述下电极的表面，基于第一绝缘材料生长所述第一绝缘层，包括：

在所述下电极的表面，采用第一生长方法，基于所述第一绝缘材料生长所述第一绝缘层；

所述在所述第一绝缘层的表面，基于第二绝缘材料生长所述第二绝缘层，包括：

在所述第一绝缘层的表面，采用第二生长方法，基于所述第一绝缘材料生长所述第二绝缘层；其中，所述第一生长方法和所述第二生长方法为不同的生长方法。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一生长方法为原子沉积方法，所述第二生长方法为磁控溅射方法。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述第二绝缘层的表面采用活性材料生长上电极，得到选通器件之前，所述方法还包括：

采用预设的退火工艺，对包括所述下电极、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的基片进行退火处理。

8.根据权利要求4-7中任一所述的方法，其特征在于，所述在衬底上采用惰性材料生成下电极，包括：

在所述衬底上形成预设的第一光刻图形的光刻胶；

在所述衬底上所述第一光刻图形所在的位置生长所述下电极，并对光刻胶进行剥离处理；

所述在所述第二绝缘层的表面采用活性材料生长上电极，包括：

在所述第二绝缘层的表面形成预设的第二光刻图形的光刻胶；

在所述第二绝缘层的表面上所述第二光刻图形所在的位置生长所述上电极，并对光刻胶进行剥离处理。