[发明专利]基于并五苯有机场效应晶体管与PVDF纳米柱相耦合的柔性智能压电传感器

权利要求书

1.基于并五苯有机场效应晶体管与PVDF纳米柱相耦合的柔性智能压电传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(1)将PET薄膜清洗并干燥，制得衬底；在衬底上沉积厚度为100nm的Al薄膜，制得栅极；在栅极上旋涂PMMA溶液得到厚度为100～400nm的PMMA薄膜，真空干燥制得介电层；在介电层上沉积厚度为40nm的并五苯，制得有源层；以透射电镜铜网为掩模版在有源层上依次沉积厚度为5nm的Cr和厚度为45nm的Au，制得源漏电极；在源漏电极上旋涂PMMA溶液作为保护层，制得OFET；所述Al薄膜的沉积速率为所述PMMA溶液的浓度为7mg/ml；旋涂速率为4000rpm；所述并五苯的沉积速率为所述透射电镜铜网的长度为200μm、宽度为40μm、沟道宽度为20μm；

(2)将PVDF薄膜用超纯水和酒精超声处理并干燥；将铝基单通AAO模板作为纳米倒模模板，用超纯水超声处理并干燥；将干燥好的PVDF薄膜与AAO模板的正面对齐，并使用称量纸和玻璃作为隔热层保护AAO模板和PVDF薄膜，形成玻璃/称量纸/AAO模板/PVDF薄膜/称量纸/玻璃的热压结构并对其进行热压得热压件；将热压件上的称量纸和玻璃移去，然后放置在超纯水中使AAO模板脱除，得到一面带有纳米柱的PVDF柔性材料，在PVDF柔性材料的两面分别蒸镀厚度为20nm的Au薄膜，制得PVDF柔性压电材料；所述PVDF薄膜的厚度为28μm；所述PVDF柔性材料上纳米柱的直径为200～400nm，纳米柱之间的间距为200nm；

(3)以PVDF柔性压电材料作为压电信号发生单元，以OFET作为压力传感器，用导电材料将压电信号发生单元两面的Au薄膜分别与压力传感器的栅极和源漏电极连接，形成闭合回路，制得基于并五苯有机场效应晶体管与PVDF纳米柱相耦合的柔性智能压电传感器。

2.由权利要求1所述的制备方法制备的基于并五苯有机场效应晶体管与PVDF纳米柱相耦合的柔性智能压电传感器。

3.根据权利要求2所述的柔性智能压电传感器，其特征在于，所述柔性智能压电传感器的最低检测极限为175Pa，灵敏度为5.17Kpa^-1。

4.权利要求2或3所述的基于并五苯有机场效应晶体管与PVDF纳米柱相耦合的柔性智能压电传感器在制备智能电子皮肤中的应用。