[发明专利]一种提高后段金属线通孔的工艺窗口的方法

权利要求书

1.一种提高后段金属线通孔的工艺窗口的方法，其特征在于，包括：

在衬底上制造金属线沟槽，并进行沉积光刻；

利用光刻工艺曝光自对准通孔，并蚀刻第一硬掩膜；

以设定倾角向所述第一硬掩膜的关键方向注入硼离子；

对第二硬掩膜进行过蚀刻，扩大非关键方向的尺寸；

对平坦化层进行蚀刻，打开通孔；

利用大马士革工艺填充金属，完成通孔；

所述以设定倾角向第一硬掩膜的关键方向注入硼离子，包括：

以设定倾角对所述第一硬掩膜的侧壁在关键方向注入硼离子，增大所述第一硬掩膜在边界处的第一蚀刻速率，而非关键方向的第二蚀刻速率不变；

所述对第二硬掩膜进行过蚀刻，扩大非关键方向的尺寸，包括：

通过所述第一蚀刻速率对所述第二硬掩膜的非关键方向进行蚀刻，扩大所述第二硬掩膜的非关键方向的尺寸数据，并利用所述第二蚀刻速率对所述第二硬掩膜的非关键方向进行过蚀刻，得到对应尺寸数据；

其中，第一硬掩膜的关键方向与第二硬掩膜的非关键方向为同一方向，第二硬掩膜为形成在第一硬掩膜下的掩膜层结构。

2.如权利要求1所述的一种提高后段金属线通孔的工艺窗口的方法，其特征在于，所述在衬底上制造金属线沟槽，并进行沉积光刻，包括：

利用自对准双重成像结构或者大马士革结构对第三硬掩膜按照设定图形进行光刻后，根据所述设定图形对所述第三硬掩膜和衬底进行蚀刻，得到金属线第一沟槽。

3.如权利要求2所述的一种提高后段金属线通孔的工艺窗口的方法，其特征在于，所述在衬底上制造金属线沟槽，并进行沉积光刻后，所述方法还包括：

得到第一沟槽后，依次沉积平坦化层、第二硬掩膜、第一硬掩膜和光刻胶层，并按照所述设定图形进行光刻。

4.如权利要求3所述的一种提高后段金属线通孔的工艺窗口的方法，其特征在于，所述利用光刻工艺曝光自对准通孔，并蚀刻第一硬掩膜，包括：

获取蚀刻的通孔图形，利用光刻工艺曝光所述光刻胶层，并根据所述通孔图形蚀刻所述第一硬掩膜。

5.如权利要求4所述的一种提高后段金属线通孔的工艺窗口的方法，其特征在于，所述对平坦化层进行蚀刻，打开通孔，包括：

根据对所述第二硬掩膜过蚀刻后得到的图形，对所述平坦化层进行蚀刻，打开所述通孔。

6.如权利要求5所述的一种提高后段金属线通孔的工艺窗口的方法，其特征在于，所述利用大马士革工艺填充金属，完成通孔，包括：

利用大马士革工艺对所述通孔填充金属后，对所述通孔进行机械化抛光。