[发明专利]一种散热涂层的制备方法

权利要求书

1.一种散热涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S110，对基体进行表面初步清洗；利用气体离子源对所述基体进行表面初步清洗，离子源为阳极层离子源，功率为0-2KW，束流为0-2A；

S120，随后，基于多弧离子镀技术在表面沉积Al膜；

S130，随后，对真空腔室加热至100-600℃，并保温1-4h形成渗铝层；所述渗铝层的厚度为1-10μm，所述加热的方式为阶梯振荡加热，温度最高速率不高于±30℃/min，同时环境真空度为1×10^-3-1×10^-1Pa；

S140，随后，基于磁过滤沉积在表面沉积Al或Zn膜层；所述沉积Al或Zn膜层时真空度为1×10^-3-1×10^-2Pa，沉积弧流50-100A，弧流500-1500mA，沉积速率不低于0.1μm/min，膜层厚度0-20μm；

S150，随后，通入氧气加热至200-800℃充分氧化所述Al或Zn膜层；

S160，随后，基于磁过滤沉积技术沉积AlN；

S170，最后，在AlN表面沉积铜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基体为陶瓷、聚合物或铝合金板。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多弧离子镀的弧流0-120A，束流0-1A，Al膜沉积厚度0-1μm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化过程中环境真空度为1×10^-1-10Pa，氧化时间0-5h，氧化膜层厚度0-20μm，表面电阻率1×10⁶-1×10⁸Ω·m。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积AlN时弧流为50-120A，N₂气流量为20-120sccm，同时基体附近设置灯丝电极提高氮气离化率，沉积膜层厚度为0-3μm，表面电阻率为1×10⁶-1×10⁹Ω·m。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沉积铜层时真空度为1×10^-3-5×10^-3Pa，沉积弧流50-100A，弧流500-1500mA，沉积速率高于0.1μm/min，膜层厚度0-20μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤S140和步骤S160中，磁过滤沉积的阴极为圆柱靶，束流有效宽度独立为800-1000mm，阴极寿命大于200h。