[发明专利]半导体结构的制作方法及其平坦化制作工艺

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板，具有第一表面；

形成至少一沟槽于所述第一表面上，所述至少一沟槽包含底面及侧壁；

进行第一平坦化制作工艺，包含利用选自氩气及氢气其中的一种对具有所述至少一沟槽的所述基板进行退火处理，以平坦化所述底面及所述侧壁的至少其中之一；

共形设置复合材料层，以覆盖所述第一表面及所述底面及所述侧壁；

设置多晶硅材料层于所述至少一沟槽内，所述多晶硅材料层覆盖位于所述底面及所述侧壁的所述复合材料层；

移除所述第一表面上的所述复合材料层；

形成多层金属内连线结构于所述第一表面及所述多晶硅材料层上，其中，所述多层金属内连线结构包含微机电系统框架结构，且所述多层金属内连线结构具有多个通孔；

移除所述多晶硅材料层及所述沟槽内的所述复合材料层；以及

进行第二平坦化制作工艺，利用包含有惰性气体及氢气的等离子体，至少对所述沟槽进行等离子体处理，使所述底面及所述侧壁平坦化。

2.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述复合材料层的设置包含以下步骤：

共形形成衬垫氧化层，以覆盖所述第一表面及所述至少一沟槽的所述底面及所述侧壁；以及

共形形成钝化层于所述衬垫氧化层上。

3.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，进行所述第一平坦化制作工艺时，使用处理温度介于摄氏750至1100度之间的所述氩气进行所述退火处理。

4.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，进行所述第一平坦化制作工艺时，使用处理温度介于摄氏750至1100度之间的所述氢气进行所述退火处理。

5.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在进行所述第二平坦化制作工艺时，进行所述等离子体处理的温度介于摄氏300至400度之间。

6.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述等离子体中的所述氢气的含量占2.5％至10％之间，所述惰性气体的含量占97.5％至90％之间。

7.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在设置所述多晶硅材料层于所述至少一沟槽内之后，进行抛光处理，使所述多晶硅材料层的顶面与所述复合材料层等高。

8.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在移除所述第一表面上的所述复合材料层之前或之后，以回蚀刻制作工艺移除部分所述多晶硅材料层，使所述多晶硅材料层的顶面与所述基板的所述第一表面等高。

9.如权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述微机电系统框架结构对应所述至少一沟槽的位置，且一部分的所述多个通孔与所述至少一沟槽连通。

10.一种平坦化制作工艺，其特征在于，包含：

提供半导体结构，所述半导体结构包含基板、形成于所述基板上的至少一沟槽、以及设置于所述基板上的多层金属内连线结构，其中所述多层金属内连线结构包含微机电系统框架结构，且所述多层金属内连线结构具有多个通孔；以及

利用包含有惰性气体及氢气的等离子体，至少对所述沟槽进行等离子体处理，使所述沟槽的底面及侧壁平坦化。

11.如权利要求10所述的平坦化制作工艺，其特征在于，进行所述等离子体处理的温度介于摄氏300至400度之间。

12.如权利要求10所述的平坦化制作工艺，其特征在于，所述等离子体中的所述氢气的含量占2.5％至10％之间，所述惰性气体的含量占97.5％至90％之间。