[发明专利]一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法在审
| 申请号： | 202010418570.8 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111554567A | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 韦欣;陈岩;徐云;李健;宋国峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 线状 狄拉克半 金属 砷化镉 及其 制备 方法 | ||
1.一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉的制备方法，其特征在于，包括：
将源物质置于指定气体中进行加热，使所述源物质蒸发，所述源物质包括砷化镉；
将所述指定气体的流速调整至预定流速，以通过所述指定气体将蒸发出的所述源物质输运到与所述源物质相距预定距离的衬底上；其中，所述衬底上覆盖有多个相互分离的金颗粒，所述金颗粒通过在衬底上沉积预定厚度的金薄膜并进行退火后得到；所述金颗粒呈岛状，所述金颗粒的尺寸为亚微米或微米级别；
对所述源物质进行降温，以使所述源物质在所述金颗粒上成核、结晶并生长，得到纳米线状狄拉克半金属砷化镉。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述指定气体包括氮气或氩气。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将所述源物质加热至500℃～600℃，加热时间为20min～60min。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述源物质为纯度大于等于99％的砷化镉固体粉末，所述源物质的用量为0.5g～1.0g。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预定流速为20sccm～100sccm。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预定距离为20cm～30cm。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预定厚度为3nm～10nm。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，退火温度为450℃～550℃，退火时间为25s～35s。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，得到的所述纳米线状狄拉克半金属砷化镉的直径在25nm～50nm之间，长度在10μm～50μm之间。
10.一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉，其特征在于，采用权利要求1-9中任一项所述的制备方法制备得到。
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