[发明专利]红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法有效
申请号: | 202010418620.2 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN111640803B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 任秀娟;李春领;崔戈;宁提;亢喆;谭振;马涛;李忠贺;张克 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/101;H01L31/18 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 张然 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 红外 平面 探测器 芯片 组件 及其 制备 方法 | ||
1.一种红外焦平面探测器的芯片组件的制备方法,其特征在于,包括:
将锑化铟芯片放入制膜设备的真空腔室的工件转动系统上;
对所述真空腔室抽真空;
将所述工件转动系统的转速调整在每秒40至80转之间;
将所述工件转动系统的加热温度调整在0摄氏度至60摄氏度之间并持续预设时间段,所述预设时间段的时长在20分钟至50分钟之间;采用热蒸发方法、电子束蒸发方法、或溅射方法将一氧化硅薄膜制备于所述锑化铟芯片的背面;
所述一氧化硅薄膜的蒸发速率介于每秒10Å至30Å之间;
将设有一氧化硅薄膜的锑化铟芯片放入沸水中浸泡1分钟;
将经过沸水浸泡后的设有一氧化硅薄膜的锑化铟芯片放入液氮中浸泡1分钟后冷热冲击循环50次;
将经过冷热冲击循环50次后的设有一氧化硅薄膜的锑化铟芯片经过胶带粘揭50次后,用显微镜50倍镜检,并判定无起泡、起皮现象的设有一氧化硅薄膜的锑化铟芯片为合格品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的