[发明专利]红外焦平面探测器的芯片组件及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010418620.2 申请日: 2020-05-18
公开(公告)号: CN111640803B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 任秀娟;李春领;崔戈;宁提;亢喆;谭振;马涛;李忠贺;张克 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/101;H01L31/18
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 张然
地址: 100015*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 红外 平面 探测器 芯片 组件 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种红外焦平面探测器的芯片组件的制备方法,其特征在于,包括:

将锑化铟芯片放入制膜设备的真空腔室的工件转动系统上;

对所述真空腔室抽真空;

将所述工件转动系统的转速调整在每秒40至80转之间;

将所述工件转动系统的加热温度调整在0摄氏度至60摄氏度之间并持续预设时间段,所述预设时间段的时长在20分钟至50分钟之间;采用热蒸发方法、电子束蒸发方法、或溅射方法将一氧化硅薄膜制备于所述锑化铟芯片的背面;

所述一氧化硅薄膜的蒸发速率介于每秒10Å至30Å之间;

将设有一氧化硅薄膜的锑化铟芯片放入沸水中浸泡1分钟;

将经过沸水浸泡后的设有一氧化硅薄膜的锑化铟芯片放入液氮中浸泡1分钟后冷热冲击循环50次;

将经过冷热冲击循环50次后的设有一氧化硅薄膜的锑化铟芯片经过胶带粘揭50次后,用显微镜50倍镜检,并判定无起泡、起皮现象的设有一氧化硅薄膜的锑化铟芯片为合格品。

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