[发明专利]碳化硅晶体及碳化硅晶种片

权利要求书

1.一种碳化硅晶体，其特征在于，所述碳化硅晶体包括：

一碳化硅晶种片，包含：

一晶棒生长区，其材质为单晶碳化硅，并且所述晶棒生长区定义有一中心轴；

一缺陷阻隔区，其材质为碳化硅，所述缺陷阻隔区呈环状且围绕于所述晶棒生长区的外侧缘；其中，所述缺陷阻隔区为一非共格界面；及

一应力吸收区，其材质为碳化硅，所述应力吸收区呈环状且围绕于所述缺陷阻隔区的外侧缘；

一单晶硅晶棒，自所述晶棒生长区沿所述中心轴长晶所形成；

一内牺牲层，自所述缺陷阻隔区沿平行所述中心轴的方向长晶所形成，并且所述内牺牲层呈环状且围绕于所述单晶硅晶棒的外侧缘；以及

一外牺牲层，自所述应力吸收区沿平行所述中心轴的方向长晶所形成，并且所述外牺牲层呈环状且围绕于所述内牺牲层的外侧缘；其中，所述外牺牲层的每单位区域的缺陷数量大于所述单晶硅晶棒的每单位区域的缺陷数量。

2.如权利要求1所述的碳化硅晶体，其特征在于，其中，所述缺陷阻隔区能使所述内牺牲层用来阻隔所述外牺牲层中的缺陷蔓延至所述单晶硅晶棒，并且所述应力吸收区能使所述外牺牲层用来吸收来自所述单晶硅晶棒的应力；其中，所述应力吸收区的材质进一步限定为单晶碳化硅，并且所述应力吸收区的每单位区域的缺陷数量为所述晶棒生长区的每单位区域的缺陷数量的至少两倍；或者，所述应力吸收区的材质进一步限定为多晶碳化硅。

3.如权利要求1所述的碳化硅晶体，其特征在于，于通过所述中心轴的所述碳化硅晶种片的一外径中，所述晶棒生长区所占的长度为所述应力吸收区所占的长度的1～6倍，并且所述缺陷阻隔区所占的长度不大于10微米。

4.如权利要求1所述的碳化硅晶体，其特征在于，所述单晶硅晶棒包含有一内区块及呈环状且围绕于所述内区块的一外区块，并且所述外牺牲层的每单位区域的缺陷数量大于所述内区块的每单位区域的缺陷数量，而所述内区块的每单位区域的缺陷数量大于所述外区块的每单位区域的缺陷数量；其中，所述碳化硅晶种片能与所述单晶硅晶棒、所述内牺牲层、及所述外牺牲层分离，用以长晶生成另一单晶硅晶棒、另一内牺牲层、及另一外牺牲层。

5.一种碳化硅晶种片，其特征在于，所述碳化硅晶种片包括：

一晶棒生长区，其材质为单晶碳化硅；

一缺陷阻隔区，其材质为碳化硅，所述缺陷阻隔区呈环状且围绕于所述晶棒生长区的外周缘；其中，所述缺陷阻隔区为一非共格界面；以及

一应力吸收区，其材质为碳化硅，所述应力吸收区呈环状且围绕于所述缺陷阻隔区的外周缘。

6.如权利要求5所述的碳化硅晶种片，其特征在于，所述应力吸收区的材质进一步限定为单晶碳化硅，并且所述应力吸收区的每单位区域的缺陷数量大于所述晶棒生长区的每单位区域的缺陷数量。

7.如权利要求6所述的碳化硅晶种片，其特征在于，所述应力吸收区的每单位区域的缺陷数量为所述晶棒生长区的每单位区域的缺陷数量的至少两倍。

8.如权利要求5所述的碳化硅晶种片，其特征在于，所述应力吸收区的材质进一步限定为多晶碳化硅。

9.如权利要求5所述的碳化硅晶种片，其特征在于，所述晶棒生长区定义有一中心轴；于通过所述中心轴的所述碳化硅晶种片的一外径中，所述晶棒生长区所占的长度不小于所述应力吸收区所占的长度，并且所述应力吸收区所占的长度大于所述缺陷阻隔区所占的长度。

10.如权利要求9所述的碳化硅晶种片，其特征在于，所述碳化硅晶种片的所述外径中，所述晶棒生长区所占的长度为所述应力吸收区所占的长度的1～6倍，并且所述缺陷阻隔区所占的长度不大于10微米。