[发明专利]一种基于场效应管的二硫化钼拉力探测器

权利要求书

1.一种基于场效应管的二硫化钼拉力探测器，其特征在于，包括：衬底、金属层、绝缘层、半导体层、弹性层、二硫化钼层、固定块、移动块、源极、漏极，所述金属层置于所述衬底的上表面的中部，所述绝缘层置于所述衬底的上表面及所述金属层的外侧，所述金属层和所述绝缘层具有相同的厚度，所述半导体层置于所述金属层和所述绝缘层上，所述弹性层置于所述半导体层上，所述二硫化钼层置于所述弹性层上，所述弹性层为绝缘材料，所述固定块固定在所述半导体层上，所述弹性层的一端固定在所述的固定块上，所述弹性层的另一端固定在所述移动块上，使用时，通过所述移动块施加拉力，在自然状态和拉伸状态下，所述二硫化钼层均不超出所述金属层的范围，所述源极和所述漏极设置在所述半导体层上，并且置于所述金属层两侧的所述绝缘层的上部。

2.如权利要求1所述的基于场效应管的二硫化钼拉力探测器，其特征在于：所述半导体层为硅半导体，所述硅半导体的厚度小于2微米。

3.如权利要求2所述的基于场效应管的二硫化钼拉力探测器，其特征在于：所述弹性层的厚度从所述固定块向所述移动块逐渐减小。

4.如权利要求3所述的基于场效应管的二硫化钼拉力探测器，其特征在于：所述半导体层的厚度从所述固定块向所述移动块逐渐减小。

5.如权利要求1-4任一项所述的基于场效应管的二硫化钼拉力探测器，其特征在于：所述源极为金、铝、钛材料。

6.如权利要求5所述的基于场效应管的二硫化钼拉力探测器，其特征在于：所述漏极为金、铝、钛材料。

7.如权利要求6所述的基于场效应管的二硫化钼拉力探测器，其特征在于：所述固定块、所述移动块与所述源极、所述漏极均不接触。