[发明专利]碳酸钙基高功函透明导电膜及其制备方法

说明书

本发明涉及一种碳酸钙基高功函透明导电膜及其制备方法，碳酸钙基高功函透明导电膜包括衬底、附着所述衬底上的匹配层、附着于所述匹配层的导电层及附着于所述导电层的高工函层，所述高工函层采用碳酸钙制成。利用各功能层的配合，得到高功函、低电阻、高透光的性能，稳定性好，可提高器件的工作效率；工艺简单，重现性好，适用在有机发光器件OLED，太阳能电池等，作为该类器件的阳极层。

技术领域

本发明涉及导电材料技术领域，特别是涉及碳酸钙基高功函透明导电膜及其制备方法。

背景技术

透明导电薄膜是把光学透明性能与导电性能复合在一体的光电材料，由于其具有优异的光电特性，成为近年来的研究热点和前沿课题，可广泛应用于太阳能电池，LED，TFT，LCD，有机发光二极管OLED及触摸屏等屏幕显示领域。随着器件性能要求的提高，用于作为器件阳极的透明导电膜的性能也在要求提高。除了保持高的可见透过率，低的电阻率，还要求有较高的表面功函数，使其与其他功能层的能级相匹配，降低势垒，提高载流子注入效率，最终达到高的电光效率。

目前商业化的各种透明导电薄膜，如ATO以及超薄金属薄膜等，要在保持透明度和导电性的前提下，提高薄膜的表面功函数，则需要比较复杂的工序，而且效果不是很明示，稳定性不高。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种碳酸钙基高功函透明导电膜，具有高功函、低电阻、高透光的性能，稳定性好，可提高器件的工作效率。

本发明还提供了上述碳酸钙基高功函透明导电膜的制备方法，工艺简单，重现性好。

一种碳酸钙基高功函透明导电膜，包括衬底、附着所述衬底上的匹配层、附着于所述匹配层的导电层及附着于所述导电层的高工函层，所述高工函层采用碳酸钙制成。

在其中一个实施例中，导电层采用金、银、铜或铂制成。

在其中一个实施例中，导电层的厚度为5~35nm。

在其中一个实施例中，匹配层采用氧化锌制成。

在其中一个实施例中，匹配层的厚度为50~150nm。

在其中一个实施例中，高工函层的厚度为0.5~5nm。

在其中一个实施例中，衬底为石英玻璃，单晶硅片或蓝宝石。

一种碳酸钙基高功函透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

取匹配层的原材料粉体，并将匹配层的原材料粉体压制成生坯，将生坯烧结成靶材；

提供镀膜设备，所述镀膜设备具有腔体，将所述靶材和衬底装入腔体内，所述靶材与所述衬底之间具有间距；

将腔体抽真空；

通入惰性气体，通过溅射将所述靶材的材料沉积至所述衬底上，获得具有匹配层的衬底；

将具有匹配层的衬底、导电层原材料及碳酸钙粉体放入蒸镀设备，将蒸镀设备抽至真空；

依次蒸镀导电层原材料、碳酸钙粉体，于匹配层的表面沉积形成导电层，于导电层的表面沉积形成高工函层。

在其中一个实施例中，生坯的烧结温度为900℃~1350℃。

在其中一个实施例中，靶材与衬底之间的间距为35~90mm。

在其中一个实施例中，惰性气体为氩气，其气体流量为15~35sccm。

本发明碳酸钙基高功函透明导电膜的有益效果为：

1、利用各功能层的配合，得到高功函、低电阻、高透光的性能，稳定性好，可提高器件的工作效率；