[发明专利]半导体装置封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置封装，其包括：

第一导电层，其具有第一间距，

第二导电层，其具有第二间距并且布置在所述第一导电层的两个不同侧面处；以及

第三导电层，其具有第三间距并且安置在所述第一导电层和所述第二导电层上方，所述第三导电层电连接到所述第一导电层，其中所述第一间距小于所述第三间距，并且所述第三间距小于所述第二间距。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：

第一裸片，其安置在所述第三导电层上；以及

第二裸片安置为邻近于所述第一裸片并且在所述第三导电层上，其中所述第一裸片通过所述第一导电层电连接到所述第二裸片。

3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中

所述第一裸片安置在所述第一导电层的第一部分之上并且所述第二导电层的第一部分邻近于所述第一导电层的所述第一部分；以及

所述第二裸片安置在所述第一导电层的第二部分之上并且所述第二导电层的第二部分邻近于所述第一导电层的所述第二部分。

4.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其进一步包括：

载体，其布置在所述第一裸片和所述第二裸片上。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第二导电层围绕所述第一导电层。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括：

第一介电层，其围绕所述第一导电层；以及

第二介电层，其围绕所述第一介电层、所述第二导电层和所述第三导电层的一部分。

7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述第一介电层的材料不同于所述第二介电层的材料。

8.根据权利要求7所述的半导体装置封装，其中所述第一介电层的硬度大于所述第二介电层的硬度。

9.一种半导体装置封装，其包括：

第一导电层；

第一介电层，其覆盖所述第一导电层；

第二导电层，其安置在所述第一介电层的两个不同侧面处；

第三导电层，其安置在所述第一导电层和所述第二导电层之上；以及

第二介电层，其覆盖所述第一导电层、所述第一介电层、所述第二导电层和所述第三导电层的至少一部分，

其中所述第一介电层的硬度大于所述第二介电层的硬度。

10.根据权利要求9所述的半导体装置封装，其中所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层具有不同间距。

11.根据权利要求9所述的半导体装置封装，其进一步包括：

第一裸片，其安置在所述第三导电层上；以及

第二裸片，其安置为邻近于所述第一裸片并且在所述第三导电层上。

12.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其中所述第一裸片通过所述第一导电层电连接到所述第二裸片。

13.根据权利要求12所述的半导体装置封装，其中：

所述第一裸片安置在所述第一导电层的第一部分之上并且所述第二导电层的第一部分邻近于所述第一导电层的所述第一部分；以及

所述第二裸片安置在所述第一导电层的第二部分之上并且所述第二导电层的第二部分邻近于所述第一导电层的所述第二部分。

14.根据权利要求13所述的半导体装置封装，其中所述第一导电层由所述第二导电层围绕。

15.根据权利要求9所述的半导体装置封装，其中所述第一导电层的密度大于所述第三导电层的密度，并且所述第三导电层的密度大于所述第二导电层的密度。