[发明专利]磷光体施加前后发光器件的单个化

说明书

在磷光体涂覆的发光元件的制作中使用两阶段单个化工艺。在磷光体涂层的施加之前，使用激光划切工艺单个化各个发光元件（130）；在磷光体涂层的施加（150）之后，使用机械划切工艺单个化磷光体涂覆的发光元件（180）。在发光元件的激光划切之前，晶片被定位在由框架支持的一块划切带或管芯附着带；在激光划切之后，所述带被拉伸（140）以提供允许在磷光体涂层的施加（150）之后的后续机械划切（180）的较宽切口宽度的各个发光元件之间的空间。

技术领域

本发明涉及固态光发射器领域，并且具体地涉及具有诸如包含磷光体的层之类的一个或多个波长转换层的发光器件的制作。

背景技术

用于诸如车辆灯泡、内部和外部照明等等之类的常规照明应用的固态发光器件（LEDs）的使用持续增加，这主要归因于其预期使用寿命及其效率。在这些应用中，白光的产生通常是必要条件。

为了产生白光，或在颜色方面与固有地从给定发光材料产生的颜色不同的任何光，一般使用色移和彩色组合来实现所期望的颜色，或者就白光而言，实现所期望的色温。色移（波长转换）能够通过吸收一种颜色的光并且发射不同颜色的光的诸如磷光体之类的材料来提供。典型地，含有磷光体颗粒的材料层被施加到发光器件的上表面上。当光离开发光器件并且进入磷光体层时，一些或全部的发射光撞击磷光体颗粒，使得来自磷光体层的光输出包括原始发射光和后续产生的转换光的组合。复合颜色输出将取决于每一波长（颜色）处的光的比例，这主要取决于磷光体颗粒的密度和分布。

为了降低制造成本，磷光体层被施加到制作的发光元件（管芯）的晶片上。在施加磷光体层之后，晶片被切片/划切以提供单独的/单个化的发光元件。一般地，基于激光的工艺被优选用于将晶片划切成单独的发光元件；然而，磷光体层如果暴露于激光能量则可能受损。因此，机械工艺被用于划切磷光体涂覆的晶片。

不得不机械划切磷光体涂覆的晶片的缺点在于锯的切口宽度典型地在50-100um的量级上，其大大地宽于激光切割的典型的切口宽度（典型地在10-15um的量级上）。为了允许该较宽的切口宽度和制造公差，必须将各个发光元件较远地隔开200um或更多，这减少了可以在每个晶片上制作的发光元件的数目。例如，如果发光元件为500um×500um，并且发光元件之间的通常称为“芯片间隔（street）”的划切迹线（lane）宽度为200um，只有大约36%的可用晶片区域将被用于发光元件，这与用于具有30um芯片间隔的使用激光切片的非磷光体涂覆的发光元件的几乎90%的晶片区域利用率形成对比。

发明内容

将会有利的是，能够增加可以在每个晶片上产生的磷光体涂覆的发光器件的数目。同样将会有利的是，维持在晶片规模工艺中将磷光体施加到发光元件的能力。

为了更好地解决这些关注点中的一个或多个，在本发明的实施例中，在磷光体涂覆的发光元件的制作中使用两阶段单个化工艺。在磷光体涂层的施加之前，使用激光划切工艺单个化各个发光元件；在磷光体涂层的施加之后，使用机械划切工艺单个化磷光体涂覆的发光元件。在发光元件的激光划切之前，晶片被定位在由框架支持的一块划切带或管芯附着带上；在激光划切之后，该带被拉伸以提供允许在磷光体涂层的施加之后的后续机械划切的较宽的切口宽度的各个发光元件之间的空间。

附图说明

参考附图并以示例的方式更详细地解释本发明，其中：

图1图示了用于制作磷光体涂覆的发光元件的示例流程图。

图2A-2H图示了磷光体涂覆的发光元件的示例制作。

贯穿附图，相同的参考标号指示类似或对应的特征或功能。附图出于说明性目的而被包括，并且不旨在限制本发明的范围。

具体实施方式