[发明专利]具有偏置机构的设备及其操作方法

说明书

本申请涉及一种具有偏置机构的设备及其操作方法。描述与存储装置相关的方法、设备和系统。所述存储装置可以包括感测放大器，所述感测放大器被配置成同时对其中的感测节点预充电，并对其中任意晶体管之间的阈值电压失配进行补偿。所述感测放大器可以被配置成在不连接单独的预充电电压的情况下对其中的连线节点充电。

技术领域

所公开的实施例涉及装置，尤其涉及具有自偏置机构的半导体存储装置及其操作方法。

背景技术

设备(例如，处理器、存储系统和/或其它电子设备)可以包括配置成存储和/或处理信息的一或多个半导体电路。例如，设备可以包括存储装置，例如易失性存储装置、非易失性存储装置或组合装置。存储装置，例如动态随机存取存储器(DRAM)，可以利用电能来存储和访问数据。

发明内容

在一个方面，本申请涉及一种设备，包含：连接到第一功率节点的第一组功率晶体管；连接到第二功率节点的第二组功率晶体管；连接在所述第一和第二组功率晶体管之间的隔离晶体管，其中：所述隔离晶体管在连线节点处连接到所述第一组功率晶体管，以及所述隔离晶体管在感测节点处连接到所述第二组功率晶体管；以及至少一个均衡晶体管，位于至少一对所述连线节点之间。

在另一方面，本申请涉及一种操作设备的方法，所述方法包含：增加一或多个功率节点处的电压电平，其中感测节点与连线节点隔离，所述连线节点电耦合在一起；去激活均衡晶体管以断开所述连线节点之间的电耦合；激活隔离晶体管，以将每个所述连线节点电耦合到所述感测节点中的一个；以及激活用于将存储单元连接到所述感测节点中的一个的字线，以读取存储在所述存储单元中的信息。

在又一方面，本申请涉及一种存储装置，包含：存储单元；耦合到第一组所述存储单元的第一数位线DL；耦合到第二组所述存储单元的第二数位线DLb；以及感测放大器，包括：直接连接到所述第一数位线DL的第一感测节点，直接连接到所述第二数位线DLb的第二感测节点，以及分别经由第一功率晶体管和第二功率晶体管耦合到所述第一和第二感测节点的功率节点；以及其中所述感测放大器被配置成：同时预充电所述第一和第二感测节点，并补偿所述第一和第二功率晶体管之间的阈值电压失配，以在确定存储在一或多个所述存储单元中的信息时放大所述第一数位线DL和/或所述第二数位线DLb上的电压。

附图说明

图1是根据本技术实施例的设备的框图。

图2是根据本技术实施例的示例性感测放大器连接的示意框图。

图3A是根据本技术实施例的第一示例性感测放大器的示意图。

图3B是根据本技术实施例的第二示例性感测放大器的示意图。

图3C是根据本技术实施例的图3B的第二示例性感测放大器的时序图。

图4A是根据本技术实施例的第三示例性感测放大器的示意框图。

图4B是根据本技术实施例的图4A的第三示例性感测放大器的时序图。

图5A是根据本技术实施例的图4A的第三示例性感测放大器的第一状态的示意框图。

图5B是根据本技术实施例的第一状态的时序图。

图6A是根据本技术实施例的图4A的第三示例性感测放大器的第二状态的示意框图。

图6B是根据本技术实施例的第二状态的时序图。

图7是示出根据本技术实施例的操作设备的示例性方法的流程图。

图8是包括根据本技术实施例的设备的系统的示意图。

具体实施方式