[发明专利]一种半导体器件及制作方法和电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

形成在所述衬底上的电介质层，所述电介质层上形成有至少一个一次成形的孔；所述孔的上部的孔径大于所述孔的下部的孔径；

以及形成在所述孔内的填充材料。

2.根据权利要求1所述半导体器件，其特征在于，所述孔包括位于下部的第一孔和位于上部的第二孔，所述第一孔与所述第二孔为连通孔，所述第二孔由上向下孔径逐渐减小。

3.根据权利要求2所述半导体器件，其特征在于，所述第一孔的孔径单位变化量小于或等于预设阈值。

4.根据权利要求2所述半导体器件，其特征在于，所述第一孔的孔深与所述第二孔的孔深之比为(1～2)：1。

5.根据权利要求1～4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述孔为控制刻蚀溶剂中水含量的方式一次成形的孔。

6.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成电介质层；

控制刻蚀剂对所述电介质层进行刻蚀，形成至少一个一次成形的孔；所述孔的上部的孔径大于所述孔的下部的孔径；

在所述孔内形成填充材料。

7.根据权利要求6所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述电介质层形成至少一个一次成形的孔包括：

采用湿法刻蚀，在控制刻蚀剂溶液水含量的情况下，采用所述刻蚀剂一次性刻蚀所述电介质层，获得形成在所述电介质层上的至少一个所述孔。

8.根据权利要求7所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述电介质层包括交替设置的牺牲膜和电介质膜；

控制所述刻蚀剂对所述电介质层进行湿法刻蚀包括：

以预定速率使所述刻蚀剂含水量从第一预定值达到第二预定值，所述刻蚀剂含水量变化过程中，持续对所述牺牲膜和邻近所述牺牲膜的电介质膜进行刻蚀，形成所述第二孔；

控制所述刻蚀剂溶液的水含量为第二预定值，继续对所述牺牲膜进行刻蚀，形成所述第一孔。

9.根据权利要求8所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在以预定速率使所述刻蚀剂溶液水含量从第一预定值到达第二预定值之前，所述半导体器件的制备方法还包括：

控制所述刻蚀剂溶液水含量为第一预定值，对所述牺牲膜和邻近所述牺牲膜的电介质膜进行刻蚀。

10.根据权利要求8所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一预定值为7wt％～10wt％，所述第二预定值为15wt％～20wt％。

11.根据权利要求8～10任一所述半导体器件的制作方法，其特征在于，所述刻蚀剂溶液水含量由所述第一预定值改变为所述第二预定值的速率为每分钟变化量为0.05wt％～0.1wt％。

12.根据权利要求8～10任一所述半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第一孔的孔深与所述第二孔的孔深之比为(1～2)：1。

13.一种电子设备，包括如权利要求1～12任一项所述的半导体器件。

14.根据权利要求13所述的电子设备，包括通讯设备或终端设备。