[发明专利]一种半导体器件及其制作方法、电子设备

说明书

本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，以干法刻蚀的方式形式空气侧墙，确保形成空气侧墙时临近空气侧墙的侧壁或底部的相应接触结构不会产生电化学腐蚀现象，使得相应接触结构具有良好的导电性能，从而提升半导体器件的工作性能。所述半导体器件包括：基底、位线结构和侧墙结构。具有有源区的基底。位线结构形成在有源区上。侧墙结构形成在基底上。侧墙结构环绕在位线结构的侧壁。侧墙结构包括空气侧墙、以及围成空气侧墙的介质侧墙，介质侧墙位于空气侧墙顶部的部分所含有的材料为透气性材料。所述半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提的半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法、电子设备。

背景技术

为降低相邻位线之间的寄生电容，在半导体器件中的位线结构两侧分别设置有介电常数较低的空气侧墙。为形成上述空气侧墙，在制作半导体器件时需要在位线结构两侧分别预先形成牺牲层。待存储接触部和着陆焊盘形成后，再采用湿法刻蚀方式去除牺牲层，而之前牺牲层所在的空间对应形成空气侧墙。

但是，采用湿法刻蚀方式去除牺牲层的过程中，湿法刻蚀溶液会导致存储接触部产生电化学腐蚀现象，从而影响存储接触部的导电性能，使得半导体器件的工作性能降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件及其制作方法、电子设备，以干法刻蚀的方式形式空气侧墙，确保形成空气侧墙时临近空气侧墙的侧壁或底部的相应接触结构不会产生电化学腐蚀现象，使得相应接触结构具有良好的导电性能，从而提升半导体器件的工作性能。

为了实现上述目的，本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：

具有有源区的基底；

形成在有源区上的位线结构；

以及形成在基底上的侧墙结构，侧墙结构环绕在位线结构的侧壁，侧墙结构包括空气侧墙、以及围成空气侧墙的介质侧墙，介质侧墙位于空气侧墙顶部的部分所含有的材料为透气性材料。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件中，在基底上形成有环绕在位线结构侧壁上的侧墙结构。其中，侧墙结构包括空气侧墙、以及围成空气侧墙的介质侧墙。并且，介质侧墙位于空气侧墙顶部的部分由透气性材料制作形成。在此基础上，在制作半导体器件过程中，在形成牺牲层、以及围绕在牺牲层外周的介质侧墙后，可以采用干法刻蚀方式，例如灰化处理方式，至少通过介质侧墙位于牺牲层顶部的部分，将牺牲层处理后形成的气体去除，在原牺牲层所在的位置可以获得空气侧墙。相比于现有半导体器件中采用湿法刻蚀方式形成的空气侧墙，本发明提供的半导体器件中的空气侧墙可以采用干法刻蚀形成。在形成半导体器件中的空气侧墙时，未使用湿法刻蚀方式中的刻蚀溶液。不会出现因刻蚀溶液通过空气侧墙具有的空隙与临近空气侧墙的相关接触结构接触，而导致半导体器件所包括的相关接触结构发生电化学腐蚀现象，确保相关接触结构的导电性能，从而提升半导体器件的性能。

本发明还提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供一基底，基底具有有源区；

在有源区上形成位线结构；

以及在基底上形成侧墙结构，侧墙结构环绕在位线结构的侧壁，侧墙结构包括空气侧墙、以及围成空气侧墙的介质侧墙，介质侧墙位于空气侧墙顶部的部分所含有的材料为透气性材料。

与现有技术相比，本发明提供的半导体器件的制作方法的有益效果与上述技术方案提供的半导体器件的有益效果相同，此处不做赘述。

本发明还提供了一种电子设备，包括上述技术方案提供的半导体器件。

与现有技术相比，本发明提供的电子设备的有益效果与上述技术方案提供的半导体器件的有益效果相同，此处不做赘述。

附图说明