[发明专利]低漏电静电释放电路及显示面板在审

专利信息
申请号: 202010421538.5 申请日: 2020-05-18
公开(公告)号: CN111627370A 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 蔡振飞 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;H02H9/04
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 刁文魁
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 漏电 静电 释放 电路 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种低漏电静电释放电路,其特征在于,包括:信号线和与所述信号线电性连接的静电保护器件;

所述静电保护器件包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容和第二电容;

所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一电容的第一端电性连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与第一节点电性连接,所述第一薄膜晶体管的源极接入第一电位;

所述第二薄膜晶体管的栅极和漏极均与第二节点电性连接,所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一节点电性连接;

所述第三薄膜晶体管的栅极和漏极均与所述信号线电性连接,所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二节点电性连接;

所述第四薄膜晶体管的栅极和漏极均接入第二电位,所述第四薄膜晶体管的源极与第三节点电性连接;

所述第五薄膜晶体管的栅极和漏极均与所述第三节点电性连接,所述第五薄膜晶体管的源极与第四节点电性连接;

所述第六薄膜晶体管的栅极与所述第二电容的第一端电性连接,所述第六薄膜晶体管的源极与所述第四节点电性连接,所述第六薄膜晶体管的漏极与所述信号线电性连接;

所述第一电容的第二端与所述信号线电性连接,所述第二电容的第二端接入所述第二电位。

2.如权利要求1所述的低漏电静电释放电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管,所述第一电位为恒压低电位,所述第二电位为恒压高电位。

3.如权利要求1所述的低漏电静电释放电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管,所述第一电位为恒压高电位,所述第二电位为恒压低电位。

4.如权利要求2所述的低漏电静电释放电路,其特征在于,

当所述信号线向所述静电保护器件输入负压静电时,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管打开,且所述第六薄膜晶体管关闭;

当所述信号线向所述静电保护器件输入正压静电时,所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管打开,且所述第一薄膜晶体管关闭。

5.如权利要求3所述的低漏电静电释放电路,其特征在于,

当所述信号线向所述静电保护器件输入负压静电时,所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管打开,且所述第一薄膜晶体管关闭;

当所述信号线向所述静电保护器件输入正压静电时,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管打开,且所述第六薄膜晶体管关闭。

6.如权利要求4或5所述的低漏电静电释放电路,其特征在于,所述负压静电和所述正压静电的电压等级均为千伏级。

7.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1~6任一项所述的低漏电静电释放电路。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010421538.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top