[发明专利]低漏电静电释放电路及显示面板在审
申请号: | 202010421538.5 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN111627370A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 蔡振飞 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20;H02H9/04 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刁文魁 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 漏电 静电 释放 电路 显示 面板 | ||
1.一种低漏电静电释放电路,其特征在于,包括:信号线和与所述信号线电性连接的静电保护器件;
所述静电保护器件包括:第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第一电容和第二电容;
所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一电容的第一端电性连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与第一节点电性连接,所述第一薄膜晶体管的源极接入第一电位;
所述第二薄膜晶体管的栅极和漏极均与第二节点电性连接,所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一节点电性连接;
所述第三薄膜晶体管的栅极和漏极均与所述信号线电性连接,所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二节点电性连接;
所述第四薄膜晶体管的栅极和漏极均接入第二电位,所述第四薄膜晶体管的源极与第三节点电性连接;
所述第五薄膜晶体管的栅极和漏极均与所述第三节点电性连接,所述第五薄膜晶体管的源极与第四节点电性连接;
所述第六薄膜晶体管的栅极与所述第二电容的第一端电性连接,所述第六薄膜晶体管的源极与所述第四节点电性连接,所述第六薄膜晶体管的漏极与所述信号线电性连接;
所述第一电容的第二端与所述信号线电性连接,所述第二电容的第二端接入所述第二电位。
2.如权利要求1所述的低漏电静电释放电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管均为P型薄膜晶体管,所述第一电位为恒压低电位,所述第二电位为恒压高电位。
3.如权利要求1所述的低漏电静电释放电路,其特征在于,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第三薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管均为N型薄膜晶体管,所述第一电位为恒压高电位,所述第二电位为恒压低电位。
4.如权利要求2所述的低漏电静电释放电路,其特征在于,
当所述信号线向所述静电保护器件输入负压静电时,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管打开,且所述第六薄膜晶体管关闭;
当所述信号线向所述静电保护器件输入正压静电时,所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管打开,且所述第一薄膜晶体管关闭。
5.如权利要求3所述的低漏电静电释放电路,其特征在于,
当所述信号线向所述静电保护器件输入负压静电时,所述第四薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述第六薄膜晶体管打开,且所述第一薄膜晶体管关闭;
当所述信号线向所述静电保护器件输入正压静电时,所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管打开,且所述第六薄膜晶体管关闭。
6.如权利要求4或5所述的低漏电静电释放电路,其特征在于,所述负压静电和所述正压静电的电压等级均为千伏级。
7.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1~6任一项所述的低漏电静电释放电路。
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