[发明专利]低功耗控制电路、控制方法及电子设备在审
申请号: | 202010421945.6 | 申请日: | 2020-05-18 |
公开(公告)号: | CN111638778A | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 刘昭元 | 申请(专利权)人: | 高新兴物联科技有限公司 |
主分类号: | G06F1/3234 | 分类号: | G06F1/3234;G06F1/3203 |
代理公司: | 深圳协成知识产权代理事务所(普通合伙) 44458 | 代理人: | 章小燕 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区粤海街*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功耗 控制电路 控制 方法 电子设备 | ||
1.一种低功耗控制电路,包括微控制器MCU,其特征在于,所述微控制器MCU电连接有一自锁电路,所述自锁电路串联连接有一负载开关,所述微控制器MCU中设置有与地电连接的下拉电阻,所述自锁电路电连接负载,通过所述自锁电路使得微控制器MCU能在不同的工作模式下低功耗的持续为所述负载供电。
2.如权利要求1所述的低功耗控制电路,其特征在于,所述自锁电路为一自锁电阻R1。
3.如权利要求2所述的低功耗控制电路,其特征在于,所述自锁电路和所述下拉电阻的分压满足所述负载开关使能控制端的导通电压门限。
4.如权利要求1所述的低功耗控制电路,其特征在于,所述负载开关为第一MOS管Q1。
5.如权利要求4所述的低功耗控制电路,其特征在于,所述自锁电路为串联连接的第二MOS管Q2和电阻R3,所述第二MOS管Q2的漏极与所述第一MOS管Q1的源极电连接,所述电阻R3与所述第一MOS管Q1的漏极电连接。
6.如权利要求5所述的低功耗控制电路,其特征在于,所述自锁电路电连接一保护电阻R4,所述保护电路R4另一端接地。
7.一种控制方法,应用于如权利要求1~6任一项所述的低功耗控制电路,其特征在于,所述控制方法包括以下步骤:
检测微控制器MCU的工作模式,当微控制器MCU处于正常工作模式时,直接通过控制输入输出接口GPIO的高或低电平,实现与外部负载的通断控制;
当微控制器MCU处于低功耗工作模式时,通过所述自锁电路控制所述负载开关的导通与关闭,实现与外部负载的通断控制。
8.如权利要求7所述的控制方法,其特征在于,进一步包括:
当微控制器MCU处于超低功耗工作模式时,控制器MCU中设置的下拉电阻实现输入输出接口GPIO以低电平输出,控制自锁电路保持导通状态,实现为外部负载供电。
9.如权利要求7所述的控制方法,其特征在于,所述当微控制器MCU处于低功耗工作模式时,通过所述自锁电路控制所述负载开关的导通与关闭,实现与外部负载的通断控制,具体包括:
控制自锁电路和下拉电阻的分压满足所述负载开关使能控制端的导通电压门限;
通过负载开关使能控制端的导通状态,控制实现为外部负载供电。
10.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备上存储有如权利要求1-6任一项所述的低功能控制电路。
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