[发明专利]磁体阵列的一步处理在审
| 申请号： | 202010422050.4 | 申请日： | 2020-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN111952062A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·W·德格纳;李万锋;弗朗哥·伦纳迪 | 申请（专利权）人： | 福特全球技术公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C22F1/16;C22F1/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王秀君;鲁恭诚 |
| 地址： | 美国密歇根*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁体 阵列 一步 处理 | ||
1.一种形成退火磁体的方法，所述方法包括：
将磁化阵列环与块状磁性材料环同心地定位以形成组件，所述磁化阵列环具有限定用于使所述块状磁性材料环的晶粒取向的方向的磁场；
将所述组件放入炉中；以及
操作所述炉以使所述块状磁性材料环退火并使所述晶粒在所述方向上生长。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述磁化阵列环定位于所述块状磁性材料环的径向内侧。
3.如权利要求2所述的方法，所述方法还包括将第二磁化阵列环定位在所述块状磁性材料环的径向外侧以形成所述组件。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述第二磁化阵列环具有第二磁场，所述第二磁场用于调节所述方向和增大所述块状磁性材料环的选择性部分处的磁通密度，以改变晶粒排列。
5.如权利要求3所述的方法，其中所述磁化阵列环中的至少一个是永磁体材料。
6.如权利要求5所述的方法，其中所述磁化阵列环中的一个是软磁性材料。
7.如权利要求1所述的方法，所述方法还包括由MnBi合金材料形成所述块状磁性材料环。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述块状磁性材料还包含Ti、Zr、Nb或Ta或它们的组合。
9.一种形成退火磁体的方法，所述方法包括：
将磁化阵列环与块状磁性材料环同心地定位以形成组件，所述磁化阵列环具有限定用于使所述块状磁性材料环的晶粒取向的方向的磁场；
将所述组件放入炉中；
在第一温度下操作所述炉达第一持续时间以开始使所述块状磁性材料环退火并使所述晶粒在所述方向上生长；以及
在大于所述第一温度的第二温度下操作所述炉达第二持续时间以继续使所述块状磁性材料环退火并使所述晶粒在所述方向上生长。
10.如权利要求9所述的方法，其中所述磁化阵列环定位于所述块状磁性材料环的径向内侧。
11.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括将第二磁化阵列环定位在所述块状磁性材料环的径向外侧以形成所述组件。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述第二磁化阵列环具有第二磁场，所述第二磁场用于调节所述方向和增大所述块状磁性材料环的选择性部分处的磁通密度，以改变晶粒排列。
13.如权利要求11所述的方法，其中所述磁化阵列环、所述第二磁化阵列环或两者具有周向变化的径向厚度或高度以调整所述方向。
14.如权利要求11所述的方法，其中所述磁化阵列环中的至少一个是永磁体材料。
15.如权利要求11所述的方法，其中所述磁化阵列环中的一个是软磁性材料。
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