[发明专利]一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺

权利要求书

1.一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺，其特征在于：包括以下步骤：

1)选料：选取金刚线切割得到的多晶硅片为基片，将基片依次放入硝酸、氢氟酸中进行清洗抛光，去除基片表面损伤层；

2)制绒：

a)取步骤1）处理后的基片，在基片正表面涂覆光刻胶，光刻胶厚度为2-3um，置于90℃烘箱中烘烤25-35min，紫外曝光，显影腐蚀，再置于 120℃烘箱中烘烤15-20min，在基片正表面形成光刻掩膜层；

b)取氢氟酸、硝酸，混合搅拌5-8min，得到制绒液；将制绒液倒入产生蒸汽的腔室中，温度调节至80-85℃；取带有光刻掩膜层的基片，在30℃下保温8-14min，保温后基片正表面通过蒸汽制绒法制绒，制绒时间为18-20min，再置于氢氧化钠溶液中浸泡10s，去离子水清洗，氮气烘干；

c)去除光刻掩膜层，清洗，结束制绒步骤；

3)扩散：取步骤2）制绒处理后的基片，基片正表面通过POCL₃液态扩散源热扩散法制备P-N结；

4)湿法刻蚀：取步骤3）扩散处理后的基片，去离子水冲洗，再依次放入氢氧化钠溶液、硝酸溶液、氢氟酸溶液中进行刻蚀；

5)镀膜：取湿法刻蚀后的基片，在基片正表面用PECVD沉积氮化硅膜，再在氮化硅膜表面继续沉积氮氧化硅膜；

6)印刷：取步骤5）镀膜处理后的基片，采用栅线为“S”型的网版进行正电极印刷，采用栅线为直线型的网版进行负电极印刷；

烧结，得到成品。

2.根据权利要求1所述的一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺，其特征在于：步骤c）中，光刻掩膜层去除步骤为：将蒸汽制绒后的基片置于去胶液中浸泡10-15min，去胶液温度为80-82℃，再将基片放入丙酮溶液中浸泡6-8min，再将基片放入乙醇浸泡5-10min，去离子水清洗，氮气烘干。

3.根据权利要求1所述的一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺，其特征在于：步骤5）中，所述氮化硅膜厚度为70-80nm，折射率为2.09-2.11。

4.根据权利要求1所述的一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺，其特征在于：步骤5）中，所述氮氧化硅膜厚度为60-62nm，折射率为1.64-1.66。

5.根据权利要求1所述的一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺，其特征在于：步骤3）中，扩散温度为830℃，扩散时间为17-50min，方阻为60-90Ω/□。

6.根据权利要求1所述的一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺，其特征在于：步骤1）中，损伤层去除厚度为3-4μm。

7.根据权利要求1所述的一种通过金刚线切割硅片制备电池片的加工工艺，其特征在于：步骤1）中，金刚线切割时，金刚线线径选为70μm。