[发明专利]像素布局及具有该像素布局的显示面板有效

专利信息
申请号: 202010423309.7 申请日: 2020-05-19
公开(公告)号: CN111627925B 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 奚苏萍 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 刁文魁
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 像素 布局 具有 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素布局,包括若干像素重复组,其特征在于,所述像素重复组包括阵列基板以及设于所述阵列基板上的第一像素、第二像素、第一过孔和第二过孔;所述第一像素和所述第二像素相邻,所述第一过孔和所述第二过孔设于所述第一像素和所述第二像素之间;所述第一过孔的第一端与所述第一像素的像素电极电性连接,所述第二过孔的第一端与所述第二像素的像素电极电性连接;当所述第一像素的像素电极或所述第二像素的像素电极失压时,所述第一过孔的第二端与所述第二过孔的第二端电性连接。

2.如权利要求1所述的像素布局,其特征在于,所述阵列基板包括设于所述第一像素和所述第二像素之间的间隔区,所述第一过孔和所述第一过孔位于所述间隔区中。

3.如权利要求2所述的像素布局,其特征在于,所述第一像素和所述第二像素关于所述间隔区对称设置。

4.如权利要求2所述的像素布局,其特征在于,所述像素重复组还包括设于所述阵列基板上的公共电极线,所述公共电极线包括共享电极线、第一延伸部和第二延伸部,所述第一延伸部和所述第二延伸部分别与所述共享电极线电性连接;所述共享电极线位于所述间隔区内,所述第一延伸部位于所述第一像素内背向所述共享电极线的一侧,所述第二延伸部位于所述第二像素内背向所述共享电极线的一侧;所述第一延伸部与所述第一像素的像素电极形成第一存储电容,所述第二延伸部和所述第二像素的像素电极形成第二存储电容。

5.如权利要求4所述的像素布局,其特征在于,所述共享电极线位于所述间隔区内,所述共享电极线在所述阵列基板上的投影与所述第一过孔和所述第二过孔在所述阵列基板上的投影重合。

6.如权利要求4所述的像素布局,其特征在于,所述第一延伸部和所述第二延伸部关于所述共享电极线对称设置。

7.如权利要求4所述的像素布局,其特征在于,所述像素重复组还包括设于所述阵列基板上的第一栅极线、第二栅极线、第一数据线和第二数据线;所述第一栅极线和所述第二栅极线沿第一方向平行且间隔设置,所述第一数据线和所述第二数据线沿第二方向平行且间隔设置;所述第一方向垂直于所述第二方向;所述第一栅极线与所述第一数据线和所述第二数据线交叉设置,所述第二栅极线与所述第一数据线和所述第二数据线交叉设置;所述第一栅极线、所述共享电极线、所述第一数据线和所述第二数据线环绕定义所述第一像素的像素区,所述第二栅极线、所述共享电极线、所述第一数据线和所述第二数据线环绕定义所述第二像素的像素区。

8.如权利要求7所述的像素布局,其特征在于,所述像素重复组还包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管设于所述第一像素的像素区,所述第二薄膜晶体管设于所述第二像素的像素区;所述第一薄膜晶体管的栅极、源极和漏极分别对应地与所述第一栅极线、所述第一数据线和所述第一像素的像素电极电性连接;所述第二薄膜晶体管的栅极、源极和漏极分别对应地与所述第二栅极线、所述第二数据线和所述第二像素的像素电极电性连接。

9.如权利要求8所述的像素布局,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的漏极经由第三过孔与所述第一像素的像素电极电性连接,所述第二薄膜晶体管的漏极经由第四过孔与所述第二像素的像素电极电性连接。

10.如权利要求8所述的像素布局,其特征在于,所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的栅极、所述第一栅极线、所述第二栅极线以及所述公共电极线位于第一层;所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源极、所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的漏极、所述第一数据线以及所述第二数据线位于第二层;所述第一像素和所述第二像素的像素电极位于第三层;第一层、第二层与第三层由下至上依次设置。

11.如权利要求10所述的像素布局,其特征在于,当所述第一像素的像素电极或所述第二像素的像素电极失压时,所述第一过孔的第二端与所述第二过孔的第二端在所述第二层或所述第三层电性连接。

12.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括如权利要求1-11任一项所述的像素布局。

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