[发明专利]半导体存储器装置

说明书

提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第三绝缘图案和第一绝缘图案，位于基底上，第三绝缘图案和第一绝缘图案在与基底垂直的第一方向上彼此间隔开，使得第三绝缘图案的底表面和第一绝缘图案的顶表面彼此面对；栅电极，位于第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间，并且包括在第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间延伸的第一侧；以及第二绝缘图案，在第二方向上从栅电极的第一侧突出第二宽度，第二方向不同于第一方向。

于2019年6月13日在韩国知识产权局提交的名称为“半导体存储器装置和用于制造半导体存储器装置的方法”的第10-2019-0069847号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种半导体存储器装置和用于制造该半导体存储器装置的方法。

背景技术

为了满足消费者所需的优异性能和低成本，非易失性存储器装置的集成度一直在提高。然而，在二维或平面存储器装置的情况下，由于它们的集成密度由被单位存储器单元占据的面积确定，所以集成密度的增大已经变得越来越困难。因此，近年来，已经开发了其中单位存储器单元竖直地布置的三维存储器装置，以在不增大占用面积的情况下增大集成密度。

发明内容

实施例涉及一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：第三绝缘图案和第一绝缘图案，位于基底上，第三绝缘图案和第一绝缘图案在与基底垂直的第一方向上彼此间隔开，使得第三绝缘图案的底表面和第一绝缘图案的顶表面彼此面对；栅电极，位于第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间，并且包括在第三绝缘图案的底表面与第一绝缘图案的顶表面之间延伸的第一侧；以及第二绝缘图案，在第二方向上从栅电极的第一侧突出第二宽度，第二方向不同于第一方向。

实施例还涉及一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：半导体图案，位于基底上并且在与基底垂直的第一方向上延伸；隧道绝缘膜，位于半导体图案上；第一电荷存储膜和第二电荷存储膜，位于隧道绝缘膜上并且在第一方向上彼此间隔开；阻挡绝缘膜，沿着第一电荷存储膜和第二电荷存储膜在隧道绝缘膜上延伸；凹陷，位于第一电荷存储膜与第二电荷存储膜之间并且限定在阻挡绝缘膜内；绝缘图案，填充凹陷；以及栅电极，位于绝缘图案和阻挡绝缘膜上。

实施例还涉及一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：阻挡绝缘膜，在与基底垂直的第一方向上延伸；第一凹陷和第二凹陷，限定在阻挡绝缘膜的一个表面内并且在第一方向上彼此间隔开；第三凹陷，限定在面对阻挡绝缘膜的所述一个表面的相对表面内，并且位于第一凹陷与第二凹陷之间；第一电荷存储膜，填充第一凹陷；第二电荷存储膜，填充第二凹陷；绝缘图案，填充第三凹陷；以及栅电极，沿着绝缘图案和阻挡绝缘膜延伸。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例实施例，对于本领域技术人员而言特征将变得明显。

图1示出了用于描述根据示例实施例的半导体存储器装置的示意性电路图。

图2示出了根据示例实施例的半导体存储器装置的剖视图。

图3示出了根据示例实施例的图2的半导体存储器装置的区域P1的放大视图。

图4示出了图3的区域R1的放大视图。

图5示出了沿着图3中的线A-A'截取的剖视图。

图6示出了沿着图3中的线B-B'截取的剖视图。

图7至图17示出了展示用于制造根据示例实施例的图2的半导体存储器装置的方法中的中间工艺的视图。

图18是根据另一示例实施例的半导体存储器装置的示例剖视图。

图19示出了根据示例实施例的图18的半导体存储器装置的区域P2的放大视图。

图20示出了图19的区域R2的放大视图。