[发明专利]包括数据存贮材料图案的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

基体结构，包括半导体基底；

第一导电结构，设置在所述基体结构上并且在第一方向上延伸，所述第一导电结构包括下层，并且在所述下层之中的至少一个下层包括碳；

数据存贮材料图案，设置在所述第一导电结构上；

中间导电图案，设置在所述数据存贮材料图案上并且包括中间层，所述中间层之中的至少一个中间层包括碳；

开关材料图案，设置在所述中间导电图案上；

开关上电极图案，设置在所述开关材料图案上并且包括碳；

第二导电结构，设置在所述开关上电极图案上，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及

孔间隔件，设置在所述数据存贮材料图案的侧表面上，

其中，所述数据存贮材料图案的所述侧表面设置在所述孔间隔件的整个侧表面上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述孔间隔件的底表面高于所述数据存贮材料图案的底表面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：缓冲层，设置在所述第一导电结构的其上未设置所述数据存贮材料图案的部分上。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述孔间隔件穿透到所述缓冲层的顶表面中，并且

其中，所述孔间隔件的底表面低于所述缓冲层的所述顶表面。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：层间绝缘层，设置在所述缓冲层上，

其中，所述孔间隔件置于所述层间绝缘层的侧表面与所述数据存贮材料图案的所述侧表面之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：平坦化停止层，置于所述缓冲层与所述层间绝缘层之间，

其中，所述孔间隔件置于所述平坦化停止层的侧表面与所述数据存贮材料图案的所述侧表面之间。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：蚀刻停止层，设置在所述层间绝缘层上，

其中，所述孔间隔件置于所述蚀刻停止层的侧表面与所述数据存贮材料图案的所述侧表面之间。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：平坦化停止层，置于所述蚀刻停止层与所述中间导电图案之间，

其中，所述孔间隔件置于所述平坦化停止层的侧表面与所述数据存贮材料图案的所述侧表面之间。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述数据存贮材料图案向上延伸，穿透所述蚀刻停止层和所述平坦化停止层，并且物理接触所述中间导电图案。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述数据存贮材料图案还包括在所述孔间隔件的底表面与所述第一导电结构的顶表面之间延伸的部分。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述开关上电极图案包括：

第一上电极层，包括碳；以及

第二上电极层，设置在所述第一上电极层上。

12.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

基体结构，包括半导体基底；

第一导电结构，设置在所述基体结构上并且在第一方向上延伸，所述第一导电结构包括下层，并且所述下层之中的至少一个下层包括碳；

数据存贮材料图案，设置在所述第一导电结构上；

中间导电图案，设置在所述数据存贮材料图案上并且包括中间层，所述中间层之中的至少一个中间层包括碳；

开关材料图案，设置在所述中间导电图案上；

开关上电极图案，设置在所述开关材料图案上并且包括碳；以及

第二导电结构，设置在所述开关上电极图案上，并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，

其中，所述中间层之中的包括碳的所述至少一个中间层的宽度大于所述开关上电极图案的宽度。