[发明专利]多晶硅薄膜成膜方法在审
| 申请号： | 202010423940.7 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111653474A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 袁宿陵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/24;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 方法 | ||
1.一种多晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：首先在要形成多晶硅薄膜的介质层上，先通过低工艺温度形成第一层多晶硅薄膜；然后在第一层多晶硅薄膜上，逐渐升温，提高到更高的工艺温度，在升温的过程中形成第二层多晶硅薄膜；最后再进行热退火。
2.如权利要求1所述的多晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述在低工艺温度下形成的第一层多晶硅薄膜，其晶粒为半球形。
3.如权利要求1所述的多晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述第一层多晶硅薄膜的膜厚为50～1000Å。
4.如权利要求1所述的多晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述在升温过程中形成的第二层多晶硅薄膜，其形成的膜厚为500～1500Å。
5.如权利要求1所述的多晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述的淀积第一层多晶硅薄膜的工艺温度为580℃。
6.如权利要求1所述的多晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述的第二层多晶硅薄膜，在工艺温度从580℃升至620℃的过程中沉积。
7.如权利要求1所述的多晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述的退火温度为620℃，退火时间为15分钟。
8.如权利要求6所述的多晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述的第二层多晶硅薄膜的工艺温度，其升温速率为3～5℃/分钟，主要参考反应腔室内不同位置的晶圆上淀积的第一层多晶硅层的形貌、膜厚来调整。
9.如权利要求1所述的多晶硅薄膜成膜方法，其特征在于：所述第一层多晶硅与第二层多晶硅，其膜厚的比例为1:1.5～1:2.5。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
