[发明专利]核-边结构的碳化物MXene/SiO2 有效
| 申请号： | 202010424641.5 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN111574958B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 王连军;郭蕊;范宇驰;刘付胜聪;江莞 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | C09K3/00 | 分类号： | C09K3/00;C01B33/12;C01B32/90 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 魏峯;黄志达 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 碳化物 mxene sio base sub | ||
1.一种二维MXene基纳米板状超薄吸波材料，其特征在于，所述吸波材料由Ti3C2Tx和SiO2组成，所述吸波材料为具有核边结构的二维纳米板状材料，是以MXene为核，SiO2为壳，中间薄，边缘厚的核边结构；
所述二维MXene基纳米板状超薄吸波材料的制备方法，包括：
(1)将Ti3AlC2与刻蚀剂混合，刻蚀反应，洗涤，离心，得到剥离完全的Ti3C2Tx胶体溶液，真空环境下冻干，得到Ti3C2Tx片层材料；
(2)将步骤(1)中Ti3C2Tx片层材料分散于混合溶剂中，超声，调节pH为碱性，然后滴加硅源，搅拌反应，离心洗涤，干燥，得到MXene/SiO2复合材料，即二维MXene基纳米板状超薄吸波材料，其中Ti3C2Tx片层材料与硅源的用量比为28-35mg：0.8-1.2mL，混合溶剂为水和无水乙醇，搅拌反应温度为室温，搅拌反应时间为15-20h。
2.根据权利要求1所述吸波材料，其特征在于，所述Ti3C2Tx和SiO2的质量比值为0.8-1.12。
3.一种二维MXene基纳米板状超薄吸波材料的制备方法，包括：
(1)将Ti3AlC2与刻蚀剂混合，刻蚀反应，洗涤，离心，得到剥离完全的Ti3C2Tx胶体溶液，真空环境下冻干，得到Ti3C2Tx片层材料；
(2)将步骤(1)中Ti3C2Tx片层材料分散于混合溶剂中，超声，调节pH为碱性，然后滴加硅源，搅拌反应，离心洗涤，干燥，得到MXene/SiO2复合材料，即二维MXene基纳米板状超薄吸波材料，其中Ti3C2Tx片层材料与硅源的用量比为28-35mg：0.8-1.2mL，混合溶剂为水和无水乙醇，搅拌反应温度为室温，搅拌反应时间为15-20h。
4.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述步骤(1)中刻蚀剂为LiF和HCl；所述LiF和Ti3AlC2的质量比值为0.7-1.6，HCl溶液的的摩尔量为6-9mol/L。
5.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述步骤(1)中刻蚀反应温度为30-40℃，刻蚀反应时间为24-48h。
6.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述步骤(2)中硅源为正硅酸四乙酯。
7.根据权利要求3所述方法，其特征在于，所述步骤(2)中超声时间为45-60min；调节pH为10。
8.一种如权利要求1所述吸波材料在飞行器隐身、电磁屏蔽、电磁防护和微波暗室中的应用。
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