[发明专利]微型发光二极管芯片

权利要求书

1.一种微型发光二极管芯片，其特征在于，用以发出红光或红外光，所述微型发光二极管芯片包括：

砷化镓磊晶结构层，沿堆垛方向上依序包括N型接触层、穿隧接面层、P型半导体层、发光层、N型半导体层以及N型窗层；

第一电极，与所述N型接触层电性接触；以及

第二电极，与所述N型窗层电性接触。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极位于所述微型发光二极管芯片相反于所述堆垛方向的一侧。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述砷化镓磊晶结构层具有凹部，所述凹部定义出平台结构，且所述凹部使所述N型窗层在相反于所述堆垛方向上的一侧的第一表面暴露。

4.根据权利要求3所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述砷化镓磊晶结构层的所述N型接触层、所述穿隧接面层、所述P型半导体层、所述发光层、所述N型半导体层以及部分的所述N型窗层形成所述平台结构，所述平台结构的平台表面的面积小于所述N型窗层在朝向所述堆垛方向的一侧的第二表面的面积，其中所述平台表面为所述N型接触层在相反于所述堆垛方向上的一侧的表面。

5.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述砷化镓磊晶结构层具有沟槽，所述沟槽穿过所述N型接触层、所述穿隧接面层、所述P型半导体层、所述发光层、所述N型半导体层以及部分的所述N型窗层，且所述沟槽使所述N型窗层在相反于所述堆垛方向上的一侧的第三表面暴露。

6.根据权利要求5所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第二电极设置于所述沟槽中，并电性接触至所述N型窗层的所述第三表面。

7.根据权利要求5所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，还包括：

绝缘层，覆盖所述沟槽的内壁，使所述第二电极电性绝缘所述N型接触层、所述穿隧接面层、所述P型半导体层、所述发光层以及所述N型半导体层，所述绝缘层并延伸配置于所述N型接触层在相反于所述堆垛方向的一侧的表面。

8.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述穿隧接面层在沿着所述堆垛方向上的厚度落在50至500埃的范围内。

9.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述N型接触层、所述穿隧接面层与所述发光层在沿着所述堆垛方向上的厚度小于所述砷化镓磊晶结构层的其他层在沿着所述堆垛方向上的厚度。

10.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述穿隧接面层同时掺杂N型与P型掺杂物，且所述P型掺杂物的摩尔浓度与所述N型掺杂物的摩尔浓度的比值落在10至100的范围内。

11.根据权利要求10所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述穿隧接面层的所述P型掺杂物的摩尔浓度大于所述P型半导体层的P型掺杂物的摩尔浓度。

12.根据权利要求10所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述穿隧接面层的基质为(AlxGa1-x)yIn1-yAszP1-z，其中0≦x,y,z≦1。

13.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述P型半导体层具有镁掺杂物。