[发明专利]一种掩膜板及其应用方法、封装层的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010424943.2 申请日: 2020-05-19
公开(公告)号: CN111621742B 公开(公告)日: 2021-07-23
发明(设计)人: 王衣可;龚建国 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C23C14/04 分类号: C23C14/04;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 刁文魁
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 掩膜板 及其 应用 方法 封装 制备
【权利要求书】:

1.一种掩膜板,其特征在于,包括:

第一区域;

第二区域,环绕所述第一区域;以及

第三区域,环绕所述第二区域;

其中,所述第二区域的厚度大于所述第一区域的厚度;

所述第一区域的厚度大于所述第三区域的厚度;

所述第三区域的厚度与所述第二区域的厚度的比值为0.3-0.4;

所述第一区域的厚度与所述第二区域的厚度的比值为0.5-0.7。

2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述第二区域为环形。

3.一种掩膜板的应用方法,其特征在于,包括如下步骤:

在一衬底上设置如权利要求1-2中任一项所述的掩膜板,

在所述衬底及所述掩膜 板上方沉积无机层;以及

移除所述掩膜 板。

4.根据权利要求3所述的掩膜板的应用方法,其特征在于,所述衬底包括玻璃基板或有机层。

5.一种封装层的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

在一玻璃基板上表面制备第一无机层,具体包括如下步骤:

在一玻璃基板上设置如权利要求1-2中任一项所述的掩膜板,

在所述玻璃基板及所述掩膜 板上方沉积第一无机层;以及

移除所述掩膜 板。

6.根据权利要求5所述的封装层的制备方法,其特征在于,还包括如下步骤:

在所述第一无机层上表面制备有机层。

7.根据权利要求6所述的封装层的制备方法,其特征在于,还包括如下步骤:

在所述有机层上表面制备第二无机层。

8.根据权利要求7所述的封装层的制备方法,其特征在于,

所述第二无机层的制备步骤,具体包括如下步骤:

在所述有机层上设置如权利要求1-2中任一项所述的掩膜板,

在所述有机层及所述掩膜 板上方沉积第二无机层;

移除所述掩膜 板。

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