[发明专利]一种阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括；

衬底；

缓冲层，形成在所述衬底之上；

栅极金属层，形成在所述缓冲层远离衬底的一侧；

栅极绝缘层，形成在所述栅极金属层远离所述缓冲层的一侧；

有源层，形成在所述栅极绝缘层远离所述栅极金属层的一侧，图案化形成沟道区；

层间介质层，形成在所述层间介质层远离所述栅极绝缘层的一侧；

源漏极层，形成在所述有源层远离所述栅极绝缘层的一侧，图案化形成源极和漏极；

其中，所述源漏极层包括第一源漏极层和第二源漏极层，所述第一源漏极层与所述有源层接触的区域形成掺杂区，所述第二源漏极层形成在所述第一源漏极层远离所述衬底的一侧，所述第一源漏极层的材料与所述有源层的材料相同，但离子掺杂的浓度不同。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间介质层形成有通孔，所述通孔贯穿所述层间介质层，在所述栅极绝缘层上形成平面区域，所述第一源漏极层平铺所述通孔，且位于所述平面区域的第一源漏极层与所述沟道区搭接形成掺杂区。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述通孔的形状包括倒梯形。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的厚度与所述第一源漏极层的厚度相同。

5.如权利要求1至4项任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第二源漏极层与所述第一源漏极层的接触面积大于所述第二源漏极层在所述衬底上的正投影面积。

6.一种阵列基板的制作方法，用于制备如权利要求1至5任一项所述的阵列基板，其特征在于，包括；

提供基板；

在所述基板上依次形成衬底、缓冲层、栅极、栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上沉积半导体层，并处理得到沟道区；

在第一半导体层上沉积层间介质层，对层间介质层进行刻蚀形成通孔；

在通孔内沉积第一源漏极层以及第二源漏极层，并处理得到掺杂区以及源极和漏极。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述在栅极绝缘层上沉积半导体层，并处理得到沟道区的步骤包括：

提供掺杂有第一掺杂浓度掺杂材料的第一掺杂非晶硅；

使用所述第一掺杂非晶硅，形成第一非晶硅层作为所述半导体层；

对所述第一非晶硅层进行激光退火处理，得到多晶硅层；

对所述多晶硅层进行图案化处理，得到所述沟道区。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述提供掺杂有第一掺杂浓度掺杂材料的掺杂非晶硅的步骤包括：

向反应腔室通入甲烷、氢气和氢化磷，在热能或光能的条件下解离，得到所述掺杂非晶硅。

9.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述提供掺杂有第一掺杂浓度掺杂材料的掺杂非晶硅的步骤包括：

向反应腔室通入甲烷、氢气和三氟化硼在热能或光能的条件下解离，得到所述掺杂非晶硅。

10.如权利要求6至9任一项所述的制作方法，其特征在于，所述在通孔内沉积第一源漏极层以及第二源漏极层，并处理得到掺杂区以及源极和漏极的步骤包括：

提供掺杂有第二掺杂浓度掺杂材料的第二掺杂非晶硅；

使用所述第二掺杂非晶硅，形成第二非晶硅层作为所述第一源漏极层；

在所述第二非晶硅层上形成所述第二源漏极层；

对所述第二掺杂非晶硅以及所述第二源漏极层进行图案化处理得到所述掺杂区以及源极和漏极。