[发明专利]一种RGB外延结构及其制造方法与应用

说明书

本发明涉及一种RGB外延结构及其制造方法与应用，方法包括步骤：提供一衬底；在所述衬底上依次生长GaN缓冲层、第一未掺杂GaN层、第二未掺杂GaN层和n型GaN层；用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层。通过直接衬底上生长蓝光LED外延结构、绿光LED外延结构和红光LED外延结构，获得的RGB外延结构制成的R、G、B芯片无需分离、无需巨量转移，可直接将一大片数万颗芯片键合到相应驱动电路板上，形成的显示装置的像素单元小，独立控制每颗LED的电流，可实现高分辨率的图像输出。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种RGB外延结构及其制造方法与应用。

背景技术

发光二极管(light emitting diode，Micro LED)显示面板与传统的液晶显示面板相比，具有分辨率更高、对比度更好、响应时间更快及能耗更低等优点。LED芯片在制作完成之后，需要将LED芯片转移到驱动电路板上形成LED阵列，这一过程被称为“巨量转移”。现有显示屏主要是采用红光(R)、绿光(G)、蓝光(B)LED器件组装而成，对于户外显示屏而言，其器件尺寸大，贴片组装(即巨量转移)时无问题；但对于超小尺寸的微型发光二极管(Micro LED)，其芯片尺寸在微米级，一个小小的pad显示屏上的红光(R)、绿光(G)、蓝光(B)芯片就达数百万颗，如此小尺寸的R、G、B芯片的巨量转移是个难题。

因此，现有技术还有待改进。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种RGB外延结构及其制造方法与应用，旨在解决现有的基于Micro LED的显示屏的现有制造过程中的R、G、B芯片的巨量转移难的问题。

本发明的技术方案如下：

一种RGB外延结构的制造方法，其中，包括步骤：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长GaN缓冲层、第一未掺杂GaN层、第二未掺杂GaN层和n型GaN层；

用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，在所述n型GaN层上蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层，得到所述RGB外延结构。

可选地，所述的制造方法，其中，用钝化层作保护，经选择性刻蚀、生长，在所述n型GaN层上生长蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层阵列，在所述蓝光多量子阱层、绿光多量子阱层和红光多量子阱层上生长p型GaN接触层，具体包括：

在所述n型GaN层上生长一钝化层；选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长蓝光多量子阱层的区域，在所述待生长蓝光多量子阱层的区域生长蓝光多量子阱层，在所述蓝光多量子阱层上生长p型GaN接触层；

在所述n型GaN层上继续生长钝化层，使钝化层覆盖生长在所述蓝光多量子阱层上的p型GaN接触层，选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长绿光多量子阱层的区域，在所述待生长绿光多量子阱层的区域生长绿光多量子阱层，在所述绿光多量子阱层上生长p型GaN接触层；

在所述n型GaN层上继续生长钝化层，使钝化层覆盖生长在所述绿光多量子阱层上的p型GaN接触层，选择性刻蚀所述钝化层，在所述n型GaN层上形成呈阵列分布的待生长红光多量子阱层的区域，在所述待生长红光多量子阱层的区域生长红光多量子阱层，在所述红光多量子阱层上生长p型GaN接触层；

去除所述钝化层。