[发明专利]一种限制型相变单元及其制备方法

权利要求书

1.一种限制型相变单元制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S01：提供一衬底，在所述衬底上沉积第一介质层，在所述衬底和第一介质层中形成底电极，若干所述底电极绕轴线旋转对称设置；

S02：在所述第一介质层上沉积第二介质层，在对应所述底电极位置的所述第二介质层中形成一个贯通的第一凹槽结构；

S03：在所述第一凹槽的侧壁表面上沉积相变材料，并使所述相变材料的下端与所述底电极相连；

S04：在所述第二介质层上沉积第三介质层，将所述第一凹槽填满，并平坦化，使所述第一凹槽侧壁上的所述相变材料上端露出，形成具有侧壁结构的相变材料层，若干所述相变材料层绕所述轴线旋转对称设置并垂直方向的投影对应落在所述底电极内；

S05：在所述第三介质层上对应形成顶电极，若干所述顶电极绕所述轴线旋转对称设置。

2.根据权利要求1所述的限制型相变单元制备方法，其特征在于，当所述底电极为多个时，还包括：步骤S03中，将各所述底电极之间的所述相变材料断开；步骤S05中，在所述第三介质层上形成与所述底电极对应的多个顶电极。

3.根据权利要求1所述的限制型相变单元制备方法，其特征在于，所述底电极包含加热电极。

4.一种限制型相变单元制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S11：提供一衬底，在所述衬底上沉积第一介质层，在所述衬底和第一介质层中形成底电极，若干所述底电极绕轴线旋转对称设置；

S12：在所述第一介质层上沉积第二介质层，在对应所述底电极位置的所述第二介质层中分别形成一个贯通的第二凹槽结构；

S13：在所述第二凹槽的侧壁表面上沉积加热电极材料，并使所述加热电极材料的下端与所述底电极相连；

S14：在所述第二介质层上沉积第三介质层，将所述第二凹槽填满，并平坦化，使所述第二凹槽侧壁上的所述加热电极材料上端露出，形成具有侧壁结构的环形加热电极；

S15：在所述第三介质层上沉积第四介质层，在对应所述底电极位置的所述第四介质层中形成一个贯通的第三凹槽结构；

S16：在所述第三凹槽的侧壁表面上沉积相变材料，并使所述相变材料的下端与所述加热电极相连；

S17：在所述第四介质层上沉积第五介质层，将所述第三凹槽填满，并平坦化，使所述第三凹槽侧壁上的所述相变材料上端露出，形成具有侧壁结构的相变材料层，若干所述相变材料层绕所述轴线旋转对称设置并垂直方向的投影对应落在所述底电极内；

S18：在所述第五介质层上对应形成顶电极，若干所述顶电极绕所述轴线旋转对称设置。

5.根据权利要求4所述的限制型相变单元制备方法，其特征在于，当所述底电极和所述加热电极为对应的多个时，与还包括：步骤S17中，将各所述底电极之间的所述相变材料断开；步骤S18中，在所述第五介质层上形成与所述底电极对应的多个顶电极。

6.根据权利要求4所述的限制型相变单元制备方法，其特征在于，步骤S16中，所述相变材料的下端与所述加热电极的上端之间至少存在两处连接点。