[发明专利]一种大功率半导体器件的制造装置及其使用方法

权利要求书

1.一种大功率半导体器件的制造装置，包括重金属去除箱（1）和溶液箱（2），所述重金属去除箱（1）内部安装有加热装置，所述溶液箱（2）内填充有焦性没食子酸溶液，所述溶液箱（2）位于重金属去除箱（1）左侧，所述重金属去除箱（1）和溶液箱（2）之间固定连接有第一导管（4）和第二导管（5），所述第二导管（5）位于第一导管（4）上侧，所述第一导管（4）外端安装有气泵（401），所述气泵（401）位于重金属去除箱（1）内，所述重金属去除箱（1）、溶液箱（2）、第一导管（4）和第二导管（5）均相互连通，其特征在于：所述重金属去除箱（1）内壁固定连接有分隔座（3），所述重金属去除箱（1）前后内壁固定连接有活动辊（6），所述活动辊（6）包括一对固定柱（7），所述固定柱（7）与重金属去除箱（1）前后内壁固定连接，两个所述固定柱（7）之间设有柱形气囊（8），所述固定柱（7）外端转动连接有外放置框（9），所述外放置框（9）外端开凿有多个均匀分布的插孔（10），所述插孔（10）内插设有活动杆（11），所述活动杆（11）外端固定连接有弧形摩擦垫（13），所述弧形摩擦垫（13）位于外放置框（9）内，所述弧形摩擦垫（13）与外放置框（9）内壁固定连接有压缩弹簧（12），所述压缩弹簧（12）位于活动杆（11）外侧，所述固定柱（7）外端固定连接有摩擦层（14），所述摩擦层（14）位于弧形摩擦垫（13）内侧且与弧形摩擦垫（13）相互接触，所述活动杆（11）远离弧形摩擦垫（13）的一端固定连接有固定底板（15），所述固定底板（15）外端转动连接有转动夹板（16），所述转动夹板（16）与固定底板（15）转动连接处设有扭力弹簧，所述重金属去除箱（1）内设有多个外搅拌球囊（17），所述外搅拌球囊（17）位于分隔座（3）上侧，所述重金属去除箱（1）底端设有收集框（25），所述收集框（25）位于分隔座（3）下侧。

2.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述外搅拌球囊（17）内设有一对内活动球囊（18），所述内活动球囊（18）与外搅拌球囊（17）内壁固定连接有弹性连接绳（19），所述外搅拌球囊（17）内壁固定连接有外保护套环（20），所述外保护套环（20）位于内活动球囊（18）外侧，所述内活动球囊（18）左右两端均固定连接有接触垫（21），所述接触垫（21）位于外保护套环（20）内且与外保护套环（20）的内壁相抵，两个所述内活动球囊（18）相互靠近的一端均固定连接有磁铁块（22）。

3.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述分隔座（3）底端开凿有收集孔（23），所述收集孔（23）内壁固定连接有多个均匀分布的侧向导板（24），所述收集框（25）外端固定连接有拉杆（2501），所述拉杆（2501）表面刻有防滑纹，所述收集框（25）位于收集孔（23）正下侧，所述收集框（25）与重金属去除箱（1）的内底端和分隔座（3）的底端相抵，所述收集框（25）上端开凿有竖向通孔（26），所述收集框（25）外端开凿有侧向通孔（27），所述侧向通孔（27）内壁固定连接有过滤网（28），所述竖向通孔（26）内壁卡接有棉布袋（29），所述棉布袋（29）位于收集框（25）内。

4.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述重金属去除箱（1）上端安装有第一封闭门（101），所述重金属去除箱（1）右端安装有第二封闭门（102），所述第二封闭门（102）位于分隔座（3）下侧。

5.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述溶液箱（2）上端开凿有添加孔，所述添加孔内螺纹连接有密封塞（201）。

6.根据权利要求1所述的一种大功率半导体器件的制造装置，其特征在于：所述固定柱（7）和柱形气囊（8）之间固定连接有限位圆板（701），所述限位圆板（701）位于外放置框（9）内且与外放置框（9）的左右内壁相抵，所述限位圆板（701）和外放置框（9）相互接触处均设有抛光层。