[发明专利]一种有机酸阴离子插层水滑石的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010426741.1 申请日: 2020-05-19
公开(公告)号: CN111875492B 公开(公告)日: 2023-03-21
发明(设计)人: 宋宇飞;张分地;林长亘;陈伟 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C07C53/10 分类号: C07C53/10;C07C51/41;C07C59/08;C07C59/06;C07C57/04;C07C53/122;C07C53/16;C07C63/70;C07C63/04;C07C63/26;C07C201/12;C07C205/57;C07C55/06;C07C5
代理公司: 北京太兆天元知识产权代理有限责任公司 11108 代理人: 王宇
地址: 100029 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 有机酸 阴离子 插层水 滑石 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种有机酸阴离子插层水滑石的制备方法,其特征在于,所述的制备方法的具体步骤为:将碳酸根水滑石分散在醇溶剂中;将冰醋酸稀释在醇溶剂中;将有机酸稀释在醇溶剂中;首先将得到的冰醋酸的醇溶液逐滴加入到剧烈搅拌的碳酸根水滑石分散液中,室温下搅拌反应10-30分钟后,再将得到的有机酸的醇溶液也逐滴加入到剧烈搅拌的碳酸根水滑石分散液中,室温下搅拌反应10-30分钟,待反应结束后,将所得产物过滤、醇溶剂洗涤、真空干燥,得到有机酸阴离子插层水滑石;所述的有机酸为有机磺酸、有机膦酸。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的醇溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、正丙醇中一种或几种。

3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的有机酸加入的物质的量的计算公式为:f=[COOH]/(2×[CO32-],f表示有机酸加入的物质的量。

4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述的碳酸根水滑石的尺寸为10纳米-9微米,且随着碳酸根水滑石尺寸的减小,更易于交换反应。

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