[发明专利]一种可以补偿空间辐照损伤的CCD驱动方法在审
申请号: | 202010427258.5 | 申请日: | 2020-05-19 |
公开(公告)号: | CN111432145A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 陈治洲;刘桂;周平;袁雷明 | 申请(专利权)人: | 温州大学 |
主分类号: | H04N5/361 | 分类号: | H04N5/361;H04N5/369 |
代理公司: | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人: | 尹均利 |
地址: | 325035 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 可以 补偿 空间 辐照 损伤 ccd 驱动 方法 | ||
1.一种可以补偿空间辐照损伤的CCD驱动方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:通过采集暗信号判断表面暗电流水平;
S2:通过测量转移效率判断满阱电荷容量下降程度;
S3:根据表面暗电流增大和满阱电荷容量下降情况,综合判断CCD受空间辐照损伤的影响情况;
S4:根据CCD当前辐射损伤程度调整驱动信号进行补偿。
2.根据权利要求1所述的可以补偿空间辐照损伤的CCD驱动方法,其特征在于,所述S1中,采用周期反转模式驱动CCD,在积分周期内,感光区的电极交替作为电荷收集相位和阻隔相位,其中阻隔相位施加足够负的电压,使其处于反转状态,吸引沟阻或衬底处的空穴聚焦在硅-氧化物界面处,使界面态密度减小甚至完全消除,用于补偿电离辐射总剂量效应导致的表面暗电流增大的问题。
3.根据权利要求2所述的可以补偿空间辐照损伤的CCD驱动方法,其特征在于,所述S2中,通过在轨调整CCD电荷收集相位的偏压回归最优满阱电压,用于补偿由于阈值电压漂移造成的满阱电荷容量下降问题。
4.根据权利要求2所述的可以补偿空间辐照损伤的CCD驱动方法,其特征在于,所述采用周期反转模式,电极交替作为电荷收集相位和阻隔相位,在阻隔相位施加足够负的电压,吸引空穴填满硅-二氧化硅界面的表面态,在轨反复调整阻隔相位施加负压值,并采集暗信号值反馈,确定当前辐射损伤程度下的阻隔相位施加负压的最优值,在轨反复调整电荷收集相位上的电压值,并测量转移效率反馈,确定当前辐射损伤程度下的最优满阱电压值。
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