[发明专利]具有微结构的半导体盘形激光器在审
| 申请号： | 202010427842.0 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113690731A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 佟存柱;侯冠宇;汪丽杰;田思聪;王立军;A·波普;B·施密特 | 申请（专利权）人： | 通快两合公司 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 周家新 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 微结构 半导体 激光器 | ||
1.一种半导体盘形芯片，所述半导体盘形芯片包括盖层、周期性增益结构(RPG)、分布式布拉格反射器(DBR)和基体，盖层具有用于模式选择的至少一个结构化区域，结构化区域以激光辐射的横基模比更高激光模式的辐射经历更低的损耗的方式被结构化，所述至少一个结构化区域包括延伸到盖层中的至少一个沟槽，所述至少一个沟槽具有不超过盖层的厚度的深度，其中，所述至少一个沟槽具有从半导体芯片的发射表面的外部区域沿半导体芯片的发射表面的内部的方向减小的可变深度。
2.根据权利要求1所述的半导体盘形芯片，其中，所述至少一个沟槽的深度不大于盖层的厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体盘形芯片，其中，所述至少一个结构区域仅形成在盖层中。
4.根据权利要求1所述的半导体盘形芯片，其中，所述至少一个沟槽具有在1μm至4μm之间的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体盘形芯片，其中，所述至少一个沟槽从半导体芯片的发射表面的外部区域沿半导体芯片的发射表面的内部的方向延伸。
6.根据权利要求5所述的半导体盘形芯片，其中，所述至少一个沟槽包括以不同程度从半导体芯片的发射表面的外部区域延伸到半导体芯片的发射表面的内部的多个沟槽。
7.根据权利要求6所述的半导体盘形芯片，其中，激光辐射传播所穿过的沟槽的数量从半导体芯片的发射表面的外部区域朝向内部区域减小。
8.根据权利要求1所述的半导体盘形芯片，其中，半导体芯片的发射表面的中央区域不具有沟槽。
9.根据权利要求1所述的半导体盘形芯片，其中，所述至少一个沟槽具有侧壁，侧壁具有可变的形式。
10.根据权利要求9所述的半导体盘形芯片，其中，侧壁深度从半导体芯片的发射表面的外部区域朝向内部区域减小。
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