[发明专利]一种共形孔形成方法及半导体器件、电子设备在审
| 申请号： | 202010428038.4 | 申请日： | 2020-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN113690175A | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 李春雨;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京知迪知识产权代理有限公司 11628 | 代理人： | 周娟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 共形孔 形成 方法 半导体器件 电子设备 | ||
1.一种共形孔形成方法，其特征在于，应用于孔结构，所述孔结构包含至少一个小尺寸孔和至少一个大尺寸孔；所述共形孔形成方法包括至少一个扩孔周期；每个所述扩孔周期包括：
刻蚀时段；
以及位于所述刻蚀时段后的成膜时段。
2.根据权利要求1所述的共形孔形成方法，其特征在于，每个所述扩孔周期内的刻蚀时段数量为至少一个；每个所述扩孔周期内的成膜时段数量为至少一个。
3.根据权利要求1所述的共形孔形成方法，其特征在于，所述孔结构为过孔，或底部封闭的孔结构。
4.根据权利要求1所述的共形孔形成方法，其特征在于，所述刻蚀时段包括：利用湿法刻蚀液对所述孔结构的侧壁进行刻蚀。
5.根据权利要求4所述的共形孔形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀液为电子级氢氟酸溶液；所述电子级氢氟酸溶液的刻蚀速率为50～1000A/min；和/或，
所述湿法刻蚀液为缓冲氧化物刻蚀液；所述缓冲氧化物刻蚀液的刻蚀速率为50～1000A/min。
6.根据权利要求4所述的共形孔形成方法，其特征在于，所述利用湿法刻蚀液对所述孔结构的侧壁进行刻蚀，包括：
利用湿法刻蚀液以旋转晶圆刻蚀的方式对所述孔结构进行刻蚀。
7.根据权利要求6所述的共形孔形成方法，其特征在于，所述旋转刻蚀的旋转速率为10r/min～300r/min。
8.根据权利要求1～7任一项所述的共形孔形成方法，其特征在于，所述刻蚀时段的工作温度为20℃～30℃。
9.根据权利要求1～7任一项所述的共形孔形成方法，其特征在于，所述成膜时段包括：在所述孔结构的侧壁形成材料层。
10.根据权利要求9所述的共形孔形成方法，其特征在于，所述形成材料层的工艺为原子层沉积工艺。
11.根据权利要求9所述的共形孔形成方法，其特征在于，每个所述成膜时段形成的材料层厚度为1nm～20nm。
12.一种半导体器件，其特征在于，包括：利用权利要求1～11中任一项所述的共形孔形成方法形成的孔结构。
13.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求12所述的半导体器件。
14.根据权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备包括终端设备或通信设备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010428038.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
