[发明专利]衬底结构和半导体封装结构

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包括：

封装衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

至少一个半导体裸片，其电连接到所述封装衬底的所述第一表面；

热消散设备，其热连接到所述封装衬底的所述第一表面；

至少一个电子设备，其电连接到所述封装衬底的所述第二表面，其中所述电子设备具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，且所述电子设备的所述第一表面面对所述封装衬底的所述第二表面；和

热传输结构，其安置成与所述封装衬底的所述第二表面相邻，并且热连接到所述电子设备和所述热消散设备。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述封装衬底包含多个热导孔，其大体延伸穿过所述封装衬底并且热连接所述热传输结构和所述热消散设备。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其另外包括多个焊料凸块，其安置成与所述封装衬底的所述第二表面相邻并且与所述热传输结构电隔离。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述热传输结构包含多个条带结构，且所述条带结构包含金属条带、热管或其组合。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中所述条带结构延伸到所述封装衬底的外侧周边表面并且连接到彼此。

6.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其中所述条带结构延伸到所述封装衬底外部。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述热传输结构延伸到接触所述热消散设备。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述封装衬底在其所述第二表面上界定用于容纳所述热传输结构的至少一个凹槽。

9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述热传输结构通过焊接材料附接到所述封装衬底。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述热传输结构具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述热传输结构的所述第一表面远离所述封装衬底的所述第二表面，且所述热传输结构的所述第二表面与所述封装衬底的所述第二表面大体上共面。

11.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述热传输结构具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述热传输结构的所述第二表面远离所述封装衬底的所述第二表面，且所述电子设备的所述第二表面连接到所述热传输结构的所述第一表面。

12.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述封装衬底具有内区域和环绕所述内区域的外区域，并且包含多个内导孔和多个外导孔，其中所述内导孔安置于所述内区域中，所述外导孔安置于所述外区域中，且所述内导孔之间的间距大于所述外导孔之间的间距。

13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中所述封装衬底另外包括安置于所述外区域中的多个热导孔，所述热导孔大体延伸穿过所述封装衬底并且热连接所述热传输结构和所述热消散设备，且所述热导孔的宽度大于所述外导孔的宽度。

14.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其另外包括接合到所述封装衬底的底部设备，其中所述封装衬底的所述第二表面面对所述底部设备，且所述热传输结构接触所述底部设备。

15.一种衬底结构，其包括：

封装衬底，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，并且包含介电结构和嵌入于所述介电结构中的至少一个电路层，其中所述封装衬底在其所述第二表面上界定至少一个凹槽，且所述至少一个凹槽是通过机械加工形成；和

热传输结构，其安置于所述至少一个凹槽中，其中所述热传输结构的厚度大于所述封装衬底的所述电路层的厚度的五倍。