[发明专利]聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202010428719.0 申请日: 2020-05-20
公开(公告)号: CN111606395A 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 熊伟;周倩;袁果园;刘德蓉;古建杉;汤毅;李建 申请(专利权)人: 重庆科技学院
主分类号: C02F1/461 分类号: C02F1/461;C02F1/467;C02F1/72;C02F101/34
代理公司: 重庆市信立达专利代理事务所(普通合伙) 50230 代理人: 陈炳萍
地址: 401331 重庆市沙*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 噻吩 修饰 金属 掺杂 二氧化铅 电极 制备 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极的制备方法,其特征在于,所述聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极的制备方法包括:

第一步,将钛板进行初步超声清洗,在NaOH溶液中进行碱洗除油,将钛板浸渍到草酸溶液中进行表面粗糙化处理,酸蚀后,从溶液中取出钛板,用去离子水洗净,冷风吹干;

第二步,以预处理后的钛板为阳极,同等面积大小的钛网为阴极,以含Bi(NO3)3颗粒、Pb(NO3)2、噻吩单体及浓度离子液体[BMIM]BF4混合溶液为电沉积液,制备得到电极。

2.如权利要求1所述的聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极的制备方法,其特征在于,所述第一步在质量分数为35%NaOH溶液中进行碱洗除油。

3.如权利要求1所述的聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极的制备方法,其特征在于,所述第一步将钛板浸渍到温度为70℃~90℃且质量分数为10%~20%的草酸溶液中进行表面粗糙化处理,处理时间为1.5~3h。

4.如权利要求1所述的聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极的制备方法,其特征在于,所述第二步在电流密度为15mA/cm2~25mA/cm2电流密度下电沉积0.5h~1h,制备得到电极。

5.如权利要求1所述的聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极的制备方法,其特征在于,所述第二步电沉积温度在25℃~35℃。

6.如权利要求1所述的聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极的制备方法,其特征在于,所述钛板的纯度为不小于99.5%的工业纯钛,钛板尺寸使用切割机切割。

7.如权利要求1所述的聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极的制备方法,其特征在于,所述电沉积液中Bi(NO3)3浓度为1mmol/L~3mmol/L,Pb(NO3)2浓度为0.2mol/L~0.5mol/L,NaF浓度为0.01mmol/L~0.04mmol/L、0.05mol/L~0.1mol/L离子液体[BMIM]BF4,电沉积液的pH值为2~3。

8.一种由权利要求1~7任意一项所述聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极的制备方法制备的聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极。

9.一种如权利要求8所述聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极在降解苯酚类有机废水中的应用,其特征在于,将苯酚废水的pH值调整为3.0~7.0,浓度为1000mg/L;在以Ti/PbO2-Bi-PTh电极为阳极,钛网为阴极的两电极体系中进行电催化氧化降解处理。

10.如权利要求9所述聚噻吩修饰金属铋掺杂的二氧化铅电极在降解苯酚类有机废水中的应用,其特征在于,利用Ti/PbO2-Bi-PTh电催化氧化处理苯酚废水的电流密度为10mA/cm2-40 mA/cm2,电极间距为1cm~4cm,处理时间为20min~180min。

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