[发明专利]静态随机存取存储器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器元件，其特征在于，包括：

基底；

第一晶体管，形成于所述基底上，所述第一晶体管包括第一栅极、第一源极节点和第一漏极节点；

第二晶体管，形成于所述基底上，所述第二晶体管包括第二栅极、第二源极节点和第二漏极节点；

金属内连线结构，形成于所述第一晶体管与所述第二晶体管上，其中所述金属内连线结构包括多数层金属层、多数层层间介电(ILD)层与连接不同层的所述金属层的多个介层窗；以及

电容器，设置于所述金属内连线结构内，并耦接在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间，其中所述电容器包括：

下金属层，耦接所述第一源极节点与所述第二源极节点，所述下金属层与第n层的所述金属层是以同一层材料形成，其中n≥1；

上金属层，设置在所述下金属层之上，所述上金属层与第m层的所述金属层是以同一层材料形成，其中m≥n+1；

第一电极层，设置在所述下金属层与所述上金属层之间；

第二电极层，设置在所述上金属层与所述第一电极层之间；以及

介电层，介于所述第一电极层与所述第二电极层之间。

2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器元件，还包括多个字符线，分别耦接所述第一栅极与所述第二栅极，其中所述字符线与所述下金属层是以同一层材料形成。

3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器元件，其中所述多个字符线的延伸方向与所述第一栅极的延伸方向一样，且所述多个字符线的延伸方向与所述第二栅极的延伸方向一样。

4.如权利要求1所述的静态随机存取存储器元件，其中所述金属内连线结构具有一开口，且所述电容器形成于所述开口内。

5.如权利要求4所述的静态随机存取存储器元件，其中所述第一电极层形成于所述开口的表面，所述介电层形成于所述第一电极层的表面，且所述第二电极层填满所述开口且覆盖所述介电层。

6.如权利要求5所述的静态随机存取存储器元件，其中所述介电层的材料包括高介电常数材料。

7.如权利要求4所述的静态随机存取存储器元件，其中所述电容器具有延伸至所述开口以外的延伸部。

8.如权利要求1所述的静态随机存取存储器元件，所述上金属层的厚度比所述第m层的金属层的厚度薄。

9.如权利要求1所述的静态随机存取存储器元件，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管分别为N型金属氧化物半导体晶体管与P型金属氧化物半导体晶体管中的一者与另一者。

10.一种静态随机存取存储器元件的制造方法，包括：

提供基底；

形成第一晶体管与第二晶体管，其中所述第一晶体管包括第一栅极、第一源极节点和第一漏极节点，且所述第二晶体管包括第二栅极、第二源极节点和第二漏极节点；

形成覆盖所述第一晶体管与所述第二晶体管的内层介电层；

在内层介电层内形成耦接所述第一源极节点与所述第二源极节点的多个接触窗；

在所述内层介电层上形成金属内连线结构，其中所述金属内连线结构包括多数层金属层、多数层层间介电(ILD)层与连接不同层的所述金属层的多个介层窗，且第n层的所述金属层的一部分是下金属层，其中n≥1；

在所述金属内连线结构内形成一开口，所述开口底部露出所述下金属层；以及

在所述开口内形成电容器，其中所述电容器包括所述下金属层、形成于所述开口的表面的第一电极层、形成于所述第一电极层的表面的介电层、填满所述开口且覆盖所述介电层的第二电极层以及形成于所述第二电极层的表面的上金属层，所述上金属层是第m层的所述金属层的一部分，其中m≥n+1。