[发明专利]垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器(100)，包括第一电接触部(105)、基底(110)、第一分布式布拉格反射器(115)、有源层(120)、第二分布式布拉格反射器(130)和第二电接触部(135)，其中，所述垂直腔面发射激光器包括至少一个Al_yGa_(1-y)As层，其中0.95≤y≤1且厚度为至少40nm，其中，所述Al_yGa_(1-y)As层借助至少一个氧化控制层(119、125b)被分离在至少两个子层(118、125a)中，其中，所述至少一个氧化控制层(119、125b)的特征在于厚度在0.7nm与3nm之间。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器(100)，其中，所述第一分布式布拉格反射器(115)或所述第二分布式布拉格反射器(130)包括所述至少一个Al_yGa_(1-y)As层。

3.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器(100)，还包括电流孔径层(125)，其中，所述电流孔径层(125)包括所述至少一个Al_yGa_(1-y)As层。

4.根据权利要求1或3所述的垂直腔面发射激光器，包括被布置在所述有源层(120)下方或上方的至少两个电流孔径层(125)，其中，所述电流孔径层(125)中的每个电流孔径层包括一个Al_yGa_(1-y)As层，其中，所述至少两个电流孔径层(125)中的第一电流孔径层(125a)被布置为比所述至少两个电流孔径层(125)中的第二电流孔径层(125b)更靠近所述有源层(120)，其中，所述第一电流孔径层(125a)包括具有比所述第二电流孔径层(125b)的第二电流孔径(122b)更大的尺寸的第一电流孔径(122a)。

5.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器，其中，所述氧化控制层(119、125b)的材料包括Al_xGa_(1-x)As，其中0≤x≤0.9。

6.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器(100)，其中，所述至少一个Al_yGa_(1-y)As层的特征在于y0.99，并且其中，所述至少一个Al_yGa_(1-y)As层借助至少两个氧化控制层(119、125b)被分离，并且所述氧化控制层(119、125b)的材料包括Al_xGa_(1-x)As，其中0.4≤x≤0.6。

7.根据权利要求1或2所述的垂直腔面发射激光器(100)，其中，所述至少一个氧化控制层(119、125b)的厚度包括在所述Al_yGa_(1-y)As层的总厚度的3％与10％之间。

8.根据权利要求1或3所述的垂直腔面发射激光器(100)，其中，所述至少一个Al_yGa_(1-y)As层中的至少一个Al_yGa_(1-y)As层包括锥形氧化轮廓(126)。

9.根据权利要求8所述的垂直腔面发射激光器(100)，其中，具有所述锥形氧化轮廓(126)的所述至少一个Al_yGa_(1-y)As层包括至少两个氧化控制层(119、125b)，其中，所述至少两个氧化控制层(119、125b)将所述至少一个Al_yGa_(1-y)As层分离在至少三个子层(118、125a)中，并且其中，所述三个子层(118、125a)中的至少一个子层具有与其他子层不同的厚度。