[发明专利]发光显示设备在审
申请号: | 202010429727.7 | 申请日: | 2020-05-20 |
公开(公告)号: | CN111987123A | 公开(公告)日: | 2020-11-24 |
发明(设计)人: | 韩炅勋;具沅会;金庸喆;沈东敏;曹永德 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜诚;刘敏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 显示 设备 | ||
公开了一种发光显示设备。该发光显示设备包括基板。该发光显示设备还包括基板上的绝缘层,并且绝缘层具有基础部分和突出部分。该发光显示设备还包括覆盖基础部分的上部以及突出部分的侧部和上部的第一电极。该发光显示设备还包括覆盖绝缘层的一部分和第一电极的一部分的堤层,并且堤层具有凹形部分。该发光显示设备还包括在第一电极和堤层上的发光层,以及在发光层上的第二电极。
相关申请的交叉引用
本申请要求2019年5月23日在韩国提交的韩国专利申请第10-2019-0060676号的权益和优先权,其全部内容通过引用并入本申请。
技术领域
本公开内容涉及发光显示设备,更具体地,涉及具有改善的光提取效率和改善的前光提取效率的发光显示设备。
背景技术
最近,随着我们的社会朝向信息导向型社会发展,用于可视地表达电信息信号的显示设备的领域已经迅速地发展。相应地,正在开发在纤薄度、亮度和低功耗方面具有优异性能的各种显示设备。
在这些不同的显示设备中,发光显示设备是自发光显示设备,并且由于它不像液晶显示器那样需要单独的光源,因此可以被制造成具有轻盈性和纤薄性。此外,发光显示设备由于低电压驱动而在功耗方面具有优势,并且在颜色实现、响应速度、视角和对比度(CR)方面是优异的。因此,期望发光显示设备在各种领域中使用。
发明内容
从发光显示设备的发光层发射的光可以穿过发光显示设备的各种部件而被输出到发光显示设备的外部。然而,在从发光层发射的光中,存在着被困在发光显示设备内部而没有被提取到发光显示器外部的光,由此发光显示设备的光提取效率可能是有缺陷的。
例如,存在以下问题:由于全反射的损失、光波导的损失以及表面等离子体的损失,从发光显示设备中的发光层发射的一些光被困在发光显示设备的内部。此处,全反射的损失指的是从发光层发射的光中的、由于基板和空气之间的界面处的全反射而被困在发光显示设备内部的光所导致的光提取效率的降低。光波导的损失指的是由于发光显示设备内部的部件的界面处的全反射而被困在内部的光所导致的光提取效率的降低。表面等离子体的损失指的是由于在光入射和传播期间光被吸收到金属表面上的现象导致光振动金属表面的自由电子的情况,由此阻止了光的反射或透射,从而导致光提取效率的降低。
因此,本公开内容的发明人已经发明了具有新结构的改进的发光显示设备,以通过改善全反射和光波导的损失来提高发光显示设备的光提取效率。例如,本公开内容的发明人形成具有基础部分和突出部分的绝缘层,该基础部分具有平坦的上表面,该突出部分从基础部分突出,并且本公开内容的发明人在基础部分和突出部分的侧部分上设置了具有反射层的阳极。因此,形成在突出部分的侧部分上的阳极的反射层可以用作侧镜(sidemirror),由于全反射而被困在发光显示设备内部的一些光被在发光显示设备的前向方向上提取,由此提高发光显示设备的光提取效率。
然而,本公开内容的发明人已经认识到以下限制:即使当使用上述发光显示设备时,由于光波导的损失而导致的光损失仍然存在,并且前光提取效率降低。
例如,从发光层发射的一些光可以被全反射并被困在由堤层和有机封装层之间设置的发光层、阴极和无机封装层形成的区域中。形成堤层的材料具有约1.6的折射率,形成发光层的有机材料具有约1.8至1.9的折射率,形成第一封装层的无机材料具有约1.8的折射率,并且形成有机封装层的有机材料具有约1.5至约1.6的折射率。此外,形成阴极的金属材料具有大约0.13的折射率,但是在顶部发射类型的发光显示设备中,由于阴极被形成为具有非常小的厚度,所以它基本上是透明的。因此,阴极的折射率可能不会显著地影响全反射。因此,可以忽略阴极。由于发光层和无机封装层具有相似的折射率,所以可能在发光层和堤层的界面处以及在无机封装层和有机封装层的界面处发生全反射。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的