[发明专利]一种增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法

权利要求书

1.一种增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在待增强粘附性的硅衬底表面进行光刻定义铆钉阵列图形；

2)在硅衬底正面进行深硅刻蚀至一定深度，形成铆钉阵列结构；

3)去除硅衬底表面残余的光刻胶；

4)在硅衬底表面淀积一定厚度的聚对二甲苯，形成平整的聚对二甲苯覆盖层，完成制备。

2.如权利要求1所述的增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法，其特征在于：步骤1)中所述硅衬底为4寸P型100单抛硅片。

3.如权利要求1所述的增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法，其特征在于：步骤1)中所述铆钉阵列图形为正方形、“口”字形、“十”字形、圆形或圆环形。

4.如权利要求3所述的增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法，其特征在于：所述正方形的边长为2μm。

5.如权利要求1所述的增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法，其特征在于：步骤2)中所述铆钉阵列结构分布在硅衬底的任意非器件区域。

6.如权利要求1所述的增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法，其特征在于，步骤2)具体为：以光刻胶为掩模，在铆钉阵列位置处的硅衬底上通过HRM刻蚀硅10μm。

7.如权利要求1所述的增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法，其特征在于，步骤3)具体为：通过氧等离子体刻蚀将硅衬底表面的光刻胶去除干净。

8.如权利要求1所述的增强聚对二甲苯薄膜与硅粘附性的方法，其特征在于，步骤4)具体为：在硅衬底表面采用化学气相沉积法淀积聚对二甲苯2μm。