[发明专利]短腔激光器在审
| 申请号： | 202010429972.8 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111600184A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 杨中民;王文龙;刘逸才;韦小明;林巍;乔田 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01S3/067 | 分类号： | H01S3/067;H01S3/094;H01S3/11;H01S3/13 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈金普 |
| 地址： | 510665*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光器 | ||
1.一种短腔激光器，其特征在于，包括：
激光泵浦源；
稀土离子掺杂光纤，包括第一端面和相对于所述第一端面的第二端面；所述第一端面镀有宽带介质膜；所述第二端面镀有高反介质膜；
半导体可饱和吸收镜，直接接触所述高反介质膜；
波分复用器，包括公共端和泵浦端；所述泵浦端连接所述激光泵浦源；所述公共端直接接触所述宽带介质膜。
2.根据权利要求1所述的短腔激光器，其特征在于，所述泵浦端与所述激光泵浦源之间通过光纤熔接连接。
3.根据权利要求1所述的短腔激光器，其特征在于，所述半导体可饱和吸收镜包括反射装置和连接所述反射装置的散热基底；所述反射装置直接接触所述高反介质膜。
4.根据权利要求1所述的短腔激光器，其特征在于，所述宽带介质膜为具有啁啾型或非啁啾型的多层介质膜结构。
5.根据权利要求4所述的短腔激光器，其特征在于，所述宽带介质膜的反射率为70％到99％。
6.根据权利要求1所述的短腔激光器，其特征在于，所述高反介质膜的反射率大于95％。
7.根据权利要求1所述的短腔激光器，其特征在于，所述半导体可饱和吸收镜的调制深度为1％至10％。
8.根据权利要求1至7任一项所述的短腔激光器，其特征在于，所述稀土离子掺杂光纤的长度为1厘米到10厘米。
9.根据权利要求1至7任一项所述的短腔激光器，其特征在于，所述稀土离子掺杂光纤中掺杂的稀土离子包括镱、铒、铥和钬中的任意一种或任意组合。
10.根据权利要求1至7任一项所述的短腔激光器，其特征在于，还包括金属套管；所述稀土离子掺杂光纤设于所述金属套管内。
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