[发明专利]一种探测分子手性的方法在审

专利信息
申请号: 202010430343.7 申请日: 2020-05-20
公开(公告)号: CN111537446A 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 金华伏安光电科技有限公司
主分类号: G01N21/21 分类号: G01N21/21;G01R33/032
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 322200 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 探测 分子 手性 方法
【说明书】:

发明提供了一种探测分子手性的方法,应用手性分子在紫外光处对不同偏振的圆偏振光的不同光吸收特性,在半导体线上产生不同的热量,从而改变半导体线的电阻,在电压不变的情况下,改变半导体线中的电流,从而改变半导体线附近的磁场;利用金刚石氮‑空位色心测量磁场的高灵敏性,测量不同圆偏振光时,磁场的差异,确定分子手性。因为半导体线制备简单、手性分子和半导体线的接触面积大,所以本发明具有灵敏度高和使用便捷的优点。

技术领域

本发明涉及分子手性探测领域,具体涉及一种探测分子手性的方法。

背景技术

手性是生命有序化和组织化的基础。分子手性的探测对于研究生命的起源和研发药物具有重要意义。

常用的分子手性探测方法有色谱法、传感器法和光谱法等。发展具有高灵敏度和高便捷性的分子手性探测方法是手性识别领域的重要发展方向。

发明内容

为解决以上问题,本发明提供了一种探测分子手性的方法,该方法包括以下步骤:

第一步、在绝缘衬底上制备半导体线,在半导体线的两端连接电极;

第二步、在半导体线上设置手性分子;

第三步、应用不同偏振的紫外线圆偏振光照射手性分子,在两电极间施加固定的电压;

第四步、在半导体线附近设置金刚石颗粒,金刚石颗粒均含有氮-空位色心,应用预设波长的激发光激发氮-空位色心受激辐射荧光,同时对金刚石颗粒施加预定扫频范围的微波,收集荧光,根据荧光强度随微波频率的变化曲线,确定金刚石颗粒处的磁场;

第五步、根据圆偏振光的不同偏振时磁场的差异,判断分子手性。

更进一步地,第一步中半导体线为平面螺旋线。

更进一步地,平面螺旋线为阿基米德螺旋线。

更进一步地,第四步中测量阿基米德螺旋线中心上部的磁场。

更进一步地,第四步中激发光的波长为532纳米。

更进一步地,第四步中微波的扫频范围为2.8GHz-2.94GHz。

更进一步地,第一步中半导体线为氧化锌线。

更进一步地,氧化锌线的宽度小于1微米。

更进一步地,氧化锌线上设有凹槽。

更进一步地,第二步中,在凹槽和氧化锌线上设置手性分子后,再在手性分子上覆盖二维材料。

本发明的有益效果:本发明提供了一种探测分子手性的方法,应用手性分子在紫外光处对不同偏振的圆偏振光的不同光吸收特性,在半导体线上产生不同的热量,从而改变半导体线的电阻,在电压不变的情况下,改变半导体线中的电流,从而改变半导体线附近的磁场;利用金刚石氮-空位色心测量磁场的高灵敏性,测量不同圆偏振光时,磁场的差异,确定分子手性。因为半导体线制备简单、手性分子和半导体线的接触面积大,所以本发明具有灵敏度高和使用便捷的优点。

以下将结合附图对本发明做进一步详细说明。

附图说明

图1是平面螺旋线形状的半导体线的示意图。

图2是具有凹槽的氧化锌线的示意图。

图中:1、半导体线;2、电极;3、衬底;4、凹槽;5、手性分子;6、二维材料。

具体实施方式

为进一步阐述本发明达成预定目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及实施例对本发明的具体实施方式、结构特征及其功效,详细说明如下。

实施例1

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