[发明专利]一种硅片缺陷记录方法及装置

权利要求书

1.一种硅片缺陷记录方法，其特征在于，包括：

建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息；

根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型；

根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。

2.根据权利要求1所述的硅片缺陷记录方法，其特征在于，所述建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷之前，还包括：

获取硅片的缺陷信息，所述缺陷信息包括缺陷形状和缺陷位置。

3.根据权利要求1所述的硅片缺陷记录方法，其特征在于，所述根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式，包括：

在所述缺陷的类型为崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打标缺失中的任一类型的情况下，对所述硅片进行弃用处理；

在所述缺陷的类型为划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔印、轮印、擦痕、夹痕中的任一类型的情况下，对所述硅片进行重新抛光处理。

4.根据权利要求2所述的硅片缺陷记录方法，其特征在于，所述获取硅片的缺陷信息，包括：

采用暗场检测机对所述硅片进行暗场检测，得到硅片的缺陷信息。

5.根据权利要求2所述的硅片缺陷记录方法，其特征在于，所述虚拟硅片图包括平面直角坐标系和中心落在原点上的虚拟硅片图案，所述虚拟硅片图案的尺寸与实际的硅片的尺寸相同。

6.一种硅片缺陷记录装置，其特征在于，包括：

记录模块，用于建立虚拟硅片图，并在所述虚拟硅片图上记录硅片的缺陷信息；

确定模块，用于根据所述虚拟硅片图上记录的缺陷信息，确定缺陷的类型；

处理模块，用于根据所述缺陷的类型，确定所述硅片的处理方式。

7.根据权利要求6所述的硅片缺陷记录装置，其特征在于，还包括：

获取模块，用于获取硅片的缺陷信息，所述缺陷信息包括缺陷形状和缺陷位置。

8.根据权利要求6所述的硅片缺陷记录装置，其特征在于，所述处理模块包括：

第一处理单元，用于在所述缺陷的类型为崩边、裂纹、刀痕、隆起块、晶孔、缺边、打标缺失中的任一类型的情况下，对所述硅片进行弃用处理；

第二处理单元，用于在所述缺陷的类型为划伤、色斑、水印、抛光垫印、真空吸笔印、轮印、擦痕、夹痕中的任一类型的情况下，对所述硅片进行重新抛光处理。

9.根据权利要求7所述的硅片缺陷记录装置，其特征在于，所述获取模块包括：

采用暗场检测机对所述硅片进行暗场检测，得到硅片的缺陷信息。

10.根据权利要求7所述的硅片缺陷记录装置，其特征在于，所述虚拟硅片图包括平面直角坐标系和中心落在原点上的虚拟硅片图案，所述虚拟硅片图案的尺寸与实际的硅片的尺寸相同。