[发明专利]一种应用于超低功耗LDO中的动态偏置电流提升方法在审
| 申请号： | 202010430631.2 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111522383A | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 姚和平;唐威;董振斌;汪西虎 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 功耗 ldo 中的 动态 偏置 电流 提升 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于超低功耗LDO中的动态偏置电流提升方法，在LDO结构基础上，包括：运算放大器EA，初级分压电阻R0和第一分压电阻R1组成的反馈分压电阻，功率管PMOS管MP2的漏极接输入端OUT，其特征在于：在运算放大器EA和功率PMOS管MP2之间加入一级缓冲器，通过采样负载电流变化，动态调整缓冲器偏置电流，来改善LDO的瞬态响应。
2.根据权利要求1所述的应用于超低功耗LDO中的动态偏置电流提升方法，其特征在于：所述的缓冲器电路包括第一NMOS管MN1、电流采样管PMOS管MP3、第四PMOS管MP4和第二电阻R2，其中，
第一NMOS管MN1栅极接运算放大器EA的输出端OUT，源极接地GND，漏极接第二电阻R2的一端、功率管PMOS管M2栅极、电流采样管PMOS管MP3栅极和漏极；
电流采样管PMOS管MP3的源极接电源VDD；
第四PMOS管MP4的栅极和漏极接电源VDD，源极接第二电阻R2的另一端，即电流采样管PMOS管MP3和第四PMOS管MP4均采用二极管连接。
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