[发明专利]一种硅晶圆降低减薄翘曲的方法在审
| 申请号： | 202010430792.1 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN111710600A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李国强 | 申请（专利权）人： | 河源市天和第三代半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 王忠浩 |
| 地址： | 517000 广东省河源市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅晶圆 降低 减薄翘曲 方法 | ||
1.一种硅晶圆降低减薄翘曲的方法，其特征在于，包括以下步骤：
磨削步骤：通过自动减薄机将LED芯片的硅晶圆进行磨削，磨削的速度不大于0.3μm/s，磨削后所剩余的晶圆厚度控制在170～300μm之间；
清洁步骤：通过丙酮清洗磨削后的硅晶圆，洗掉磨削后表面的有机物和脏污；
配置步骤：配置硅腐蚀液，静止15分钟以上；
化学抛光步骤：使用硅腐蚀液进行化抛处理；
CMP化抛步骤：进行CMP化抛处理。
2.如权利要求1所述的硅晶圆降低减薄翘曲的方法，其特征在于：在所述磨削步骤中，自动减薄机的砂轮采用金属材质。
3.如权利要求1所述的硅晶圆降低减薄翘曲的方法，其特征在于：在所述清洁步骤中，清洗完成后，进行吹干。
4.如权利要求1所述的硅晶圆降低减薄翘曲的方法，其特征在于：在所述化学抛光步骤中，硅腐蚀液配比如下，HF：HNO3：CH3CHOOH＝1:1:5。
5.如权利要求1所述的硅晶圆降低减薄翘曲的方法，其特征在于：在所述化学抛光步骤中，抛光前，硅晶圆的正面贴有保护膜。
6.如权利要求5所述的硅晶圆降低减薄翘曲的方法，其特征在于：在所述化学抛光步骤中，抛光过程中，晃动硅晶圆。
7.如权利要求6所述的硅晶圆降低减薄翘曲的方法，其特征在于：在所述化学抛光步骤中，抛光完成后，用水对硅晶圆表面进行冲洗并去除保护膜。
8.如权利要求7所述的硅晶圆降低减薄翘曲的方法，其特征在于：在所述化学抛光步骤中，保护膜采用蓝膜。
9.如权利要求1所述的硅晶圆降低减薄翘曲的方法，其特征在于：在所述CMP化抛步骤中，依次进行粗抛、半精抛和精抛三个阶段。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
