[发明专利]一种原位合成二氧化铈/石墨相氮化碳复合光催化材料的方法

权利要求书

1.一种原位合成CeO₂/g-C₃N₄复合光催化材料的方法，其特征在于，为以下步骤：

（1）将从双氰胺前驱体获得的g-C₃N₄纳米片加入碱溶液中搅拌10-14 h；所述碱溶液为KOH溶液，KOH溶液的浓度是10-18 mol/L；其中，g-C₃N₄纳米片采用如下方法制得：将双氰胺在马弗炉中煅烧得到体相g-C₃N₄，使用热刻蚀法烧结体相g-C₃N₄即得到g-C₃N₄纳米片；

（2）加入Ce(NO₃)₃·6H₂O溶液静置30-50 h；所述Ce(NO₃)₃·6H₂O溶液的浓度是2-6 mol/L；所述g-C₃N₄纳米片和Ce(NO₃)₃·6H₂O的摩尔比为1：1-9；

（3）将得到的沉淀经离心分离、洗涤、真空干燥后，得到产物CeO₂/g-C₃N₄复合光催化材料。

2.根据权利要求1所述的一种原位合成CeO₂/g-C₃N₄复合光催化材料的方法，其特征在于，双氰胺的煅烧温度是520-580℃，煅烧时间是3-5 h，升温速率是2℃/min，冷却速率是1℃/min；体相g-C₃N₄热刻蚀法烧结温度是460-540℃，烧结时间是1-3 h，升温速率是5℃/min。

3.根据权利要求1所述的一种原位合成CeO₂/g-C₃N₄复合光催化材料的方法，其特征在于，步骤（3）中离心分离的转速为8000～11000 rpm，离心分离的时间为5~15 min，洗涤采用去离子水。

4.根据权利要求1所述的一种原位合成CeO₂/g-C₃N₄复合光催化材料的方法，其特征在于，步骤（3）中真空干燥的真空度为0~133 Pa，真空干燥的温度为50~90℃，真空干燥的时间为6~24 h。