[发明专利]一种半导体废料除胶方法及装置

权利要求书

1.一种半导体废料除胶方法，其特征在于，包括：

将表面带有胶体的半导体废料浸泡于质量浓度大于或等于70％的硫酸中；

利用所述质量浓度大于或等于70％的硫酸碳化所述半导体废料的表面的胶体，使得碳化后的胶体溶解在所述质量浓度大于或等于70％的硫酸中，获得除胶后的半导体废料。

2.根据权利要求1所述的半导体废料除胶方法，其特征在于，所述获得除胶后的半导体废料后，所述半导体废料除胶方法还包括：

从所述质量浓度大于或等于70％的硫酸中分离出所述半导体废料；

排放所述质量浓度大于或等于70％的硫酸。

3.根据权利要求1或2所述的半导体废料除胶方法，其特征在于，所述获得除胶后的半导体废料前，所述半导体废料除胶方法还包括：加热所述质量浓度大于或等于70％的硫酸。

4.根据权利要求3所述的半导体废料除胶方法，其特征在于，加热所述质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度大于或等于50℃，且小于或等于所述质量浓度大于或等于70％的硫酸的沸点温度；和/或，

加热所述质量浓度大于或等于70％的硫酸的时间大于或等于20min。

5.一种半导体废料除胶装置，其特征在于，包括：

反应容器，用于容纳质量浓度大于或等于70％的硫酸，并用于在所述质量浓度大于或等于70％的硫酸中浸泡表面带有胶体的半导体废料；

检测组件，用于检测半导体废料的表面的胶体碳化程度，当所述半导体废料的表面的胶体碳化程度大于设定值时，所述检测组件还用于确定获得除胶后的半导体废料。

6.根据权利要求5所述的半导体废料除胶装置，其特征在于，所述半导体废料除胶装置还包括盖结构，所述盖结构可拆卸的设在所述反应容器上。

7.根据权利要求5所述的半导体废料除胶装置，其特征在于，所述半导体废料除胶装置还包括加热套，所述反应容器设在所述加热套内；所述加热套用于加热所述质量浓度大于或等于70％的硫酸。

8.根据权利要求7所述的半导体废料除胶装置，其特征在于，所述半导体废料除胶装置还包括壳体，所述加热套设在所述壳体内。

9.根据权利要求8所述的半导体废料除胶装置，其特征在于，所述半导体废料除胶装置还包括排放管件和排放阀，所述排放管件安装在所述反应容器上，所述排放管件穿过所述加热套从所述壳体伸出，所述排放阀设在所述排放管件上。

10.根据权利要求5所述的半导体废料除胶装置，其特征在于，所述检测组件包括：

温度传感器，用于检测所述质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度；

计时器，用于测定表面带有胶体的半导体废料在所述质量浓度大于或等于70％的硫酸内的浸泡时间；

与所述温度传感器和所述计时器电连接的控制器，用于根据所述浸泡时间和所述质量浓度大于或等于70％的硫酸的温度确定半导体废料的表面的胶体碳化程度。