[发明专利]一种二维同主族二元异质结及其制备方法

权利要求书

1.一种二维同主族二元异质结，其特征在于，包括二维A纳米片材料以及包裹二维A纳米片材料的B纳米材料，其中，所述A与B为相同主族元素，且所述A与B均为Ⅳ主族、Ⅴ主族或者Ⅵ主族元素中的一种。

2.如权利要求1所述的二维同主族二元异质结，其特征在于，所述A与B均为Ⅵ主族元素中的一种。

3.如权利要求2所述的二维同主族二元异质结，其特征在于，所述二维A纳米材料为二维碲纳米片，所述B纳米材料为二维硒纳米片。

4.一种二维同主族二元异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供B粉并将B粉溶解于氨水中，制得B粉-氨水溶液；

提供二维A纳米片材料并将二维A米片材料溶解于超纯水中，制得二维A纳米片溶液；

将B粉-氨水溶液逐滴加入二维A纳米片溶液中，将混合溶液转移至30～50℃下搅拌1～12h，再将混合溶液转移至70～90℃下反应1～12h，收集沉淀，洗涤、干燥，制得二维同主族二元异质结；

其中，所述A与B为相同主族元素，且所述A与B均为Ⅳ主族、Ⅴ主族或者Ⅵ主族元素中的一种。

5.如权利要求4所述的二维同主族二元异质结的制备方法，其特征在于，所述二维A纳米片材料为二维碲纳米片，所述B粉为硒粉；

所述硒粉的质量与二维碲纳米片的质量之比为1～50:10。

6.如权利要求5所述的二维同主族二元异质结的制备方法，其特征在于，在制备二维碲纳米片溶液的过程中，将二维碲纳米片通过超声处理方法分散在超纯水中；

其中，所述超纯水的质量为二维碲纳米片的质量的10～1000倍。

7.如权利要求5所述的二维同主族二元异质结的制备方法，其特征在于，在制备硒粉-氨水溶液的过程中，所述硒粉的质量与氨水的质量之比为1:0.5～20。

8.如权利要求5所述的二维同主族二元异质结的制备方法，其特征在于，收集反应后的沉淀，所述沉淀分别用去离子水、乙醇和丙酮洗涤，8000～10000rpm离心、除去上清液，再将沉淀置于50～70℃的真空烘箱中过夜，制得二维同主族二元异质结。

9.如权利要求5所述的二维同主族二元异质结的制备方法，其特征在于，所述二维碲纳米片的制备方法包括以下步骤：

制备预反应体系：将亚碲酸钠与聚乙烯吡咯烷酮溶解分散于去离子水中，然后向去离子水中添加氨水和水合肼，添加的同时搅拌10～30分钟，制得预反应体系；

制备二维碲纳米片：将预反应体系置于130～200℃下反应4～24h，收集沉淀、洗涤、干燥，制得二维碲纳米片。

10.如权利要求9所述的二维同主族二元异质结的制备方法，其特征在于，所述亚碲酸钠与聚乙烯吡咯烷酮质量之比为1:1～20；

所述氨水与水合肼的体积之比为1～5:1。