[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置有效
申请号: | 202010432817.1 | 申请日: | 2020-05-20 |
公开(公告)号: | CN111477672B | 公开(公告)日: | 2022-12-09 |
发明(设计)人: | 李孟;顾品超;承天一;刘聪 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 李文博 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 面板 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。以减小完全不穿过绕线区的数据线和穿过绕线区的数据线所产生的寄生电容不一样所导致的亮度差异问题。一种显示基板,显示基板具有显示区;显示区包括像素区、透明区,以及设置于像素区和透明区之间的绕线区;显示基板包括设置于衬底上的多条栅线和多条数据线;多条栅线和多条数据线位于绕线区的部分的交叉位置处均设置有电容补偿电路,每条数据线分别与该条数据线和各条栅线交叉位置处的电容补偿电路电连接;电容补偿电路包括至少两个层叠设置的第一极板;在每个电容补偿电路中,每相邻的两个第一极板中的其中之一与数据线电连接,另一个用于接入一恒定的电压。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
近年来,随着智能显示技术的进步,有机发光二极管显示(Organic LightEmitting Diode,OLED)装置成为当今显示器研究领域的热点之一,越来越多的有源矩阵发光二极管显示面板(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)进入市场,相对于传统的液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD),AMOLED具有更快的响应速度,更高的对比度。
发明内容
本发明的实施例提供一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。以减小完全不穿过绕线区的数据线和穿过绕线区的数据线所产生的寄生电容不一样所导致的亮度差异问题。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,本发明实施例提供一种显示基板,所述显示基板具有显示区;所述显示区包括像素区、透明区,以及设置于所述像素区和透明区之间的绕线区。
所述显示基板包括设置于衬底上的多条栅线和多条数据线;多条所述栅线和多条所述数据线交叉设置,多条所述栅线和多条所述数据线位于所述绕线区的部分的交叉位置处均设置有电容补偿电路,每条所述数据线分别与该条数据线和各条所述栅线交叉位置处的电容补偿电路电连接。
所述电容补偿电路包括至少两个层叠设置的第一极板,以及设置于每相邻的两个所述第一极板之间的第一绝缘层,相邻的两个所述第一极板在所述衬底上的正投影至少部分重叠。
在每个所述电容补偿电路中,每相邻的两个所述第一极板中的其中之一用于所述数据线电连接,另一个用于接入一恒定的电压。
可选的,所述显示基板还包括:设置于所述衬底上,且位于所述绕线区的,用于接入所述恒定的电压的多条第一信号走线。所述第一信号走线的条数与所述栅线的条数相同,且所述第一信号走线的位置与所述栅线一一对应,并穿过与所对应的栅线和各条数据线的交叉位置,为位于该栅线和各条数据线的交叉位置处的电容补偿电路接入所述恒定的电压。
可选的,所述像素区包括像素驱动电路,所述像素驱动电路包括导电层;所述第一极板和所述第一信号走线中的至少其中之一与所述像素驱动电路中的导电层同层同材料。
可选的,所述第一极板为两个;所述像素驱动电路包括设置于所述基板上的晶体管和电容;
所述晶体管包括有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层和源漏极;所述电容包括第一极,所述第一极设置于所述层间绝缘层中。
两个所述第一极板分别与所述第一极和所述栅极同层同材料,所述栅绝缘层延伸覆盖至所述绕线区形成所述第一绝缘层。
可选的,两个所述第一极板中,与所述第一极同层同材料的第一极板与所述数据线电连接,另一所述第一极板用于接入所述恒定的电压。
可选的,所述第一极板为三个;所述像素驱动电路包括设置于所述基板上的晶体管和电容;所述晶体管包括有源层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层和源漏极;所述电容包括第一极,所述第一极设置于所述层间绝缘层中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的